10.1. Введение

Физические принципы, лежащие в основе работы приборов -па горячих электронах, сильно отличаются от тех, которые управляют поведением приборов с р-п-переходами, например -биполярного транзистора. В большой степени это различие сказывается на природе шума приборов сантиметрового и миллиметрового диапазонов волн. Основной механизм шума, например, в ЛПД - это лавинный процесс, свойство, присущее самому прибору и связанное с очень высоким электрическим полем. Важный и, возможно, более известный вид шума обнаружен в диоде Ганна, а именно шум Джонсона; но даже он отличается от нашего обычного представления о тепловом шуме, так Жак относится к тепловым флуктуациям скорости популяции горячих электронов, которая не находится в тепловом равновесии с окружающей средой.

Рассматриваемые в этой главе приборы - это ЛПД (IMPATT), плазменные ЛПД (TRAPATI) и инжекционно-про-летные диоды (BARITT), которые являются приборами пролет-ного типа, а также диод Ганна - прибор на основе эффекта переноса электронов. ЛПД и плазменные ЛПД - лавинные при-боры и, следовательно, имеют собственные значительные шумы, тогда как современные инжекционно-пролетный диод и диод Ганна благодаря непрерывному усовершенствованию производственной технологии имеют относительно малый уровень шума.

Приборы на горячих электронах, их принципы действия и характеристики - это в какой-то степени неясные вопросы. Прежде чем рассматривать шумовые характеристики таких приборов, расскажем о физических процессах, лежащих в основе их работы. Начнем, однако, с основных физических свойств самих горячих электронов.

10.2. Горячие электроны

Когда электрическое поле прикладывается к полупроводнику или проводнику, носители заряда получают кинетическую энергию и появляется электрический ток. Кинетическая энергия

Устройства на горячих электронах

зарядов случайным образом распределяется в популяции носителей заряда через их столкновения с кристаллической решеткой- процесс, который также увеличивает колебательную энергию самой решетки. Таким образом, популяция носителей и атомы решетки приобретают более высокую среднюю тепловую энергию, чем в состоянии равновесия, или, другими словами, они становятся горячее.

В твердом теле существуют два механизма, ответственные за теплопроводность: один представляет собой перенос тепло-

Элентртесное поле,хЮ B/h

Рис. 10.1. Схематическое изображение зависимости скорости электронов от поля в кремнии.

вой колебательной энергии волнами решетки, или фононами, а другой - перенос тепловой кинетической энергии подвижными носителями. В металле обычно преобладает второй механизм вследствие высокой плотности электронов и, как результат, тепловая проводимость /С растет (при фиксированной температуре) с ростом электрической проводимости ст. Соотношение между К и а известно под названием закона Видемана - Франца [31]. В металле температуры решетки и популяции электронов (иногда называемой электронным газом) по существу совпадают.

Иная ситуация в полупроводнике, где плотность носителей заряда может быть значительно меньше, чем в металле. В этом случае теплопроводность осуществляется преимущественно через фононы. Из этого следует, что, если кристалл располагается на подложке, обеспечивающей эффективный отвод тепла, решетка может оставаться относительно холодной, несмотря на то что носители заряда могут получать значительную кинетическую энергию от электрического поля. Если поле меньше величины приблизительно 10 В/м, средняя кинетическая энергия носителей заряда незначительно отличается от равновесного значения, но при более высоких полях энергия носителей суще-

ственно увеличивается. Когда это условие преобладает, носители заряда с достаточным основанием называют «горячими».

Свойства горячих носителей отличаются от свойств популяций носителей, находящихся в тепловом равновесии с решеткой. В частности, зависимость скорости дрейфа носителей от поля отклоняется от линейного закона, который выполнялся при более низких полях. Это иллюстрируется рис. 10.1, где скорость схематически изображена в виде функции приложенного поля для электронов в кремнии. Дырки в кремнии и оба типа носителей в германии имеют подобный тип зависимости. Из рисунка можно видеть, что по мере увеличения поля скорость дрейфа постепенно замедляет рост, пока наконец не достигнет насыщения. Насыщение происходит из-за электрон-фононных столкновений, которые, как можно показать, исходя из условий энергетического баланса, позволяют достигать скорости дрейфа, уже не зависящей от приложенного поля. Предельная скорость дрейфа в кремнии составляет приблизительно 10 м/с.

Горячие электроны - это энергетические носители заряда, которые могут, сталкиваясь с валентными электронами атомов в кристаллической решетке, выбивать эти электроны из валентной зоны с последующим их переходом в зону проводимости. Эти только что освобожденные электроны становятся при этом сами способными выбивать больше валентных электронов, которые в свою очередь освобождают еще больше валентных электронов, и т.д. Этот процесс является механизмом, ответственным за лавинный пробой. Лавинный пробой наблюдается в некоторых р - п-переходах с обратным смещением, у которых обратный ток резко возрастает, на несколько порядков по величине при очень малом изменении напряжения, когда достигается напряжение пробоя. Диоды с этим типом обратной характеристики используют в качестве стабилизаторов напряжения, и нередко их относят к диодам Зинера.

Обратносмещенные р - п-переходы, работающие в области лавинного пробоя, могут генерировать колебания на очень высоких частотах порядка 1 ГГц и выше. Это означает, что явление лавинного пробоя можно использовать для генерации сигналов в сантиметровом диапазоне волн. Действительно, это так, и существуют полупроводниковые генераторы этого типа, известные как лавинные генераторы. Имеются два типа лавинных генераторов, называемых диодами IMPATT (IMPact Avalanche and Transit Time) и TRAPATT (TRApped Plasma Avalanche and Triggered Transit). Эти диоды схожи по структуре, но работают в различных режимах колебаний. Генерируемая диодом IMPATT мощность, составляющая, как правило, несколько сотен милливатт, соответствует частотному диапазону 3-50 ГГц, тогда как TRAPATT позволяет получать пиковую выходную