подобных случаях состоит в использовании трансформатора для согласования источника с малым значение]уЕ импеданса и транзистора. Однако использование входного трансформатора в малошумящем усилителе звуковой частоты, как правило, крайне нежелательно, а в ряде случаев просто невозможно.

Другое решение предложил Фолкнер [4], когда несколько транзисторов соединяют параллельно, как это показано на рис. 4.11. Главная особенность этого метода заключается в том, что.

Вход

Рис. 4.11. Параллельное соединение транзисторов.

Все элементы, за исключением самих транзисторов, на схеме не указаны.

когда соединяют параллельно п идентичных усилителей, последовательное и параллельное шумовые сопротивления такой схемы уменьшаются в п раз по сравнению со схемой с одним таким усилителем. Таким образом, оптимальное сопротивление внешнего источника также уменьшается в п раз по сравнению с тем, что требуется для согласования с одним усилителем. Например, при п=4 и сопротивлении базы транзистора, равном 100 Ом, оптимальное сопротивление источника оказывается равным 500 Ом, по сравнению с 2 кОм для случая одного транзистора, о котором говорилось выше.

Даже в том случае, когда условия согласования для оптимизации шумовых свойств схемы не выполняются, метод параллельного соединения транзисторов все же значительно улучшает шумовые параметры. Например, при сопротивлении источника, равном 30 Ом, Ге = Гь= 100 Ом и Ро.= 100, коэффициент шума, рассчитанный из выражения (4.95) для одного транзистора, составляет 7,8 дБ. При использовании же четырех параллельно соединенных транзисторов коэффициент шума уменьшается до 3,5 дБ, что приводит к резкому улучшению качества работы устройства. . ,

ЛИТЕРАТУРА

1. М. J. Buckingham, Е. А. Faulkner (1974), The theory of inherent noise in p-n junction diodes and bipolar transistors. The Radio and Elect. Eng., 44, 125- 40.

2. E. R- Chenette (1960), Frequency dependence of the noise and the current amplification factor of silicon transistors, Proc. IRE (correspondence), 48, 111-112.

3. E. R. Chenette, A. van der Ziel (1962), Accurate noise measurements on transistors, IRE Trans, on Elect. Dev., ED-9, 123-128.

4. E. A. Faulkner (1966), Optimum design of low-noise amplifiers. Elect. Lett., 2, 426-427.

5. E. A. Faulkner (1968), The design of low-noise audio frequency amplifiers. The Radio and Elect. Eng., 36, 17-30.

6. E. A. Faulkner, D. W. Harding (1968), Some measurements on low-noise transistors for audio frequency applications. The Radio and Elect. Eng., 36,, 31-33.

7. W. Guggenbuehl, M. J. O. Strutt (1957), Theory and experiments on shot noise in semiconductor junction diodes and transistors, Proc. IRE, 45, 839- 854.

8. R. N. Hall (1952), Electron-hole recombination in germanium, Phys. Rev., 87, 387.

9. G. H. Hanson, A. van der Ziel (1957), Shot noise in transistors, Proc. IRE, 45, 1538-1542.

10. P. O. Lauritzen (1968), Noise due to generation and recombination of carriers in p-n junction transition regions, IEEE Trans. Elect. Dev., ED-15, 770- 776.

11. H. C. Montgomery (1952a), Transistor noise in circuit applications, Proc. IRE, 40, 1461 - 1471.

12. H. C. Montgomery (1952b), Electrical noise in semiconductors. Bell Syst. Tech. /.,31, 950-975.

13. H. C. Montgomery, M. A. Clark (1953), Shot noise in junction transistors, /. AppL Phys., 24, 1337-1338.

14. F.N. H. Robinson (1974), Noise and Fluctuations in Electronic Devices and Circuits, Clarendon Press, Oxford, pp. 99 and 237-239.

15. R. M. Ryder, R. J. Kircher (1949), Some circuit aspects of the transistor. Bell Syst. Tech. L, 28, 367-400.

16. C. T. Sah (1967), The equivalent circuit model in solidstate electronics, part 1: The single energy level defect centres, Proc. IEEE, 55, 654-671.

17. C. T. Sah, R. N. Noyce, W. Shockley (1957), Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics, Proc. IRE, 45, 1228-1243.

18. B. Schneider, M. J. Strutt (1959), Theory and experiments on shot noise in silicon p-n junction diodes and transistors, Proc. IRE, 47, 546-554.

19. L. Scott, M. J. O. Strutt (1966), Spontaneous fluctuations in the leakage current due to charge generation and recombination in semiconductor diodes. Solid State Elect., 9, 1067-1073.

20. W. Shockley (1949), The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors, Belt. Syst. Tech. J., 28, 435-489.

21. W. Shockley, W. T. Read Jr. (1952), Statistics of recombination of holes and electrons, Phys. Rev., 87, 835-842.

22. A. van der Ziel (1955), Theory of shot noise in junction diodes and junction transistors, Proc. IRE, 43, 1639-1646.

23. A. van der Ziel (1957), Theory of shot noise in junction diodes and junction transistors, Proc. IRE, 45, 1011.

24. A. van der Ziel (1960), Shot noise in transistors, Proc. IRE (correspondence),. 48, 114-115.

25. А. van der Ziel (1975а), The state of solid state device noise research. Invited paper at the Fourth Conference on Physical Aspects of Noise in Solid State Devices, Noordwijkerhout, The Netherlands, September 9-11.

26. A. van der Ziel (1975b), Shot noise in back biased p-n silicon diod°s. Solid State Elect., 18, 969-970.

27. A. van der Ziel, A. G. Th. Becking (1958), Theory of junction diode and

junction transistor noise, Proc. IRE, 46, 589-594.

28. A. van der Ziel, E. R. Chenette (1978), Noise in solid state devices. Advances in Electronics and Electron Physics, 46, 313-383.

29. K. M. Van Vliet (1970), Noise sources in transport equations associated with ambipolar diffusion and Shockley - Read recombination. Solid State Elect.. 13, 649-657.

30. R. L. Wallace, W. J. Pietenpol (1951), Some circuit properties and applications of n-p-л transistors.. Bell Systm. Tech. I., 30, 530-563.