ЛИТЕРАТУРА

1. Bell D. А. (1960), Electrical Noise, Van Nostrand, London, p. 262.

2. Bell D. A., Chong K. Y. (1954). Current noise in composition resistors. Wireless Eng., 31, 142-144.

3. Blasquez G. (1973), Ph. D. Thesis, University of Toulouse.

4. Blasquez G. (1978), Excess noise sources due to defects in forward biased junctions, Solid State Elect., 21, 1425-1430.

5. Broderson A. J., Cook K. В., Chenette E. R. (1971), Conference sur le bruit de fond des composants actifs semi-conducteurs, Colloque C. N. R. S. No. 204, C. N. R. S., Paris.

6. Card W. H., Chaudhari P. K. (1965), Characteristics of burst noise, Proc. IEEE (letters), 53, 652-653.

7. Card W. H., Mauretic A. (1963), Burst noise in semiconductor devices, Second symposium on the Physics of Failure, Chicago, pp. 268-283.

8. Champlin K. S. (1959), Microplasma fluctuations in silicon, 1. Appl. Phys.. 30, 1039-1050.

9. Chong K. Y. (1953), M. Sc. Thesis, University of Birmingham.

10. Chynoweth A. G., McKay K. G. (1956), Photom emission from avalanche breakdown in silicon, Phys. Rev., 102, 369-376.

11. Chynoweth A. G., McKay K. G. (1959), Light emission and noise studies of individual microplasms in silicon p-n junctions, /. Appl. Phys.. 30, 1811- 1813.

12. Conti M., Corda G. (1974), Noise sources identification in integrated circuits through correlation analysis, IEEE I. Solid State Circuits, SC-9, 124-133.

13. Garrett C. G. В., Brattain W. H. (1956), Some experiments on, and a theory of, surface breakdown, I. Appl. Phys.. 27, 299-306.

14. Giralt G., Martin J. C, Mateu-Perez F. X. (1965), Sur un phenomene de bruit dans les transistors, caracterise par des creneaus de courant damplitude constante, CR Acad. Sci.. 261, 5350-5353.

15. Giralt, G., Martin J. C, Mateu-Perez F. X. (1966), Burst noise of silicon planar transistors. Elect. Lett.. 2, 228-229 (in French).

16. Haitz R. H (1964), Model for the electrical behaviour of a microplasma, I. AppL Phys., 35, 1370-1376.

17. Hsu S. Т., Whittier R. J. (1969), Characterization of burst noise in silicon devices. Solid State Elect.. 12, 867-878.

18. Hsu S. Т., Whittier R. J., Mead C. A. (1970), Physical model for burst noise in semiconductor devices. Solid State Elect.. 13, 1055-1071.

19. Jaeger R. C, Broderson A. J. (1970), Low frequency noise sources in bipolar junction transistors, IEEE Trans. Elect Dev.. ED-17, 128-134.

20. Kenrick G. W. (1929), The analysis of irregular motions with applications

процесса в виде случайной суперпозиции, импульсы могут перекрываться, приводя к сигналу, имеющему более двух уровней. Трудно представить, как такой сигнал, который может иметь несколько уровней, можно приравнять к бистабильному ступенчатому сигналу; столь же трудно отождествить спектральное распределение с резкими пиками со спектром бистабильного взрывного шума. Мы приходим к выводу, что наиболее подходящая модель взрывного шума та, которая приводит к спектральному распределению, описываемому уравнением (7.10).

to the energy frequency spectrum of static and of telegraph signals, Phil.

Mag.. Ser. 7, 7, 176-196. •21 Knott K. F. (1970), Burst noise and microplasma noise in silicon planar

" transistors, Proc. IbEE (letters). 58, 1368-1369. 22. Leonard P. L., Jaskolski S. V. (1969), An investigation into the origin and

nature of popcorn noise, Proc. IEEE (letters), 57, 1786-1788. .23. Luque A., Mulet J., Rodriguez Т., Segovia R. (1970), Proposed dislocation

theory of burst noise in planar transistors. Elect. Lett.. 6, 176-178. 24. Martin J. C, Blasquez G., (1971), Sur le spectre de bruit en creneaux. Solid

State Elect. 14, 89-93. .25. Martin J. C, Blasquez G., de Cacqueray A., de Brebisson M., Schiller C.

(1972), Leffet des dislocations cristallines sur le bruit en creneaux des

transistors bipolaires au siliciura. Solid State Elect. 15, 739-744. ;26. Martin J. C, Esteve D., Blasquez G. (1968), Burst noise in silicon planar

transistors. Conference on Physical Aspects of Noise in Electronic Devices,

University of Nottingham, UK. .27. McKay K. G. (1954), Avalanche breakdown in silicon, Phys. Rev., 94, 877-

884.

28. McKay K. G., McAfee K. B. (1953), Electron multiplication in silicon and

germanium, Phys. Rev.. 91, 1079-1084. .29. Montgomery H. C. (1952), Transistor noise in circuit applications, Proc.

IRE, 40, 1461-1471. -30. Oren R. (1971). Discussion of various views on popcorn noise, IEEE Trans.

Elect Dev., ED-18, 1194-1195. .31. Pay R. G. (1956), M. Sc. Thesis, University of Birmingham. 32. Read W. T. Jr (1954), Theory of dislocations in germanium, PhiL Mag., 45,

775-796.

-33. Reddi V. G. K- (1967), Influence of surface conditions on silicon planar

transistor current gain. Solid State Elect. 10, 305-334.. -34. Rice S. O. (1944; 1945), Mathematical analysis of random noise. Bell. Syst.

Tech. J.. 23, 282-332; 24, 46-156.

35. Roedel R., Viswanathan C. R. (1975), Reduction of popcorn noise in integrated circuits, IEEE Trans. Elect Dev., ED-10, 962-964.

36. Rose D. J. (1957), Microplasmas in silicon, Phys. Rev.. 105, 413-418.

37. Schenck J. F. (1967), Progressive failure mechanisms of a commercial silicon diode, in Physics of Failure in Electronics, vol. 5, pp. 18-35 (edited by T. S. Shilliday and J. Vacarro, RADC).

38. Schenck J. F. (1968), Burst noise and walkout in degraded silicon devices, Proc. of the 1967 IEEE Sixth Ann. Reliability Physics Symp., Los Angeles, California, pp. 31-39.

39. Shockley W. (1953), Dislocation and edge states in the diamond crystal structure, Phys. Rev.. 91, 228.

40. Shockley W. (1961), Problems related to p-n junctions in silicon. Solid State Elect, 2, 35-67.

41. Wolf D., Holler E. (1967), Bistable current fluctuations in reverse-biased p-n junctions of germanium, /. Appl. Phys., 38, 189-192.

8.1. Введение

Твердотельные устройства, такие, как туннельные диоды, лавинно-пролетные диоды и диоды Ганна, в наши дни широко используются в качестве генераторов СВЧ. Эти устройства обладают собственными шумами, что в одних случаях практического применения не имеет большого значения, а в других заслуживает серьезного рассмотрения. Примером последнего может служить приемник СВЧ, в котором смеситель с внешним гетеродином помещается перед усилительным каскадом. Естественно, физические механизмы, ответственные за шум, зависят от внутренней структуры генератора. В этой главе мы не углубляемся в детали этих порождающих шум механизмов, а полагаем только, что генератор колебаний содержит внутренний генератор белого шума, который служит причиной появления на выходе случайно флуктуирующего сигнала. Спектральные характеристики выходного шума в твердотельных генераторах уже обсуждались в литературе {1, 2, 6, 15].

Важными составными частями генератора стабильных колебаний являются частотно-избирательный контур, устройство с отрицательной дифференциальной проводимостью (или контуром обратной связи с усилением по мощности) и устройство с нелинейной характеристикой, которое действует как ограничитель амплитуды колебаний. Как правило, отрицательная проводимость и нелинейная характеристика совмещаются в одном и том же элементе.

Нелинейные элементы можно разделить на «быстрые» и «медленные» в зависимости от того, насколько быстро они откликаются на входной сигнал. Время отклика медленного нелинейного элемента составляет несколько периодов, тогда как быстрое устройство реагирует практически мгновенно. Только в последнем случае шум довольно значителен, поэтому основное внимание будем уделять быстрым нелинейным генераторам с отрицательной проводимостью.

Этот тип генератора был впервые проанализирован ван-дер-Полем [16], который исследовал собственные и вынужденные колебания системы. Этот генератор можно просто представить в виде параллельного LRC-контура, шунтированного отрица-

Шумы в генераторах