которых представляет большую часть амплитуды сигналов в схемах ЭСЛ. Для демпфирования этих колебаний можно использовать последовательный резистор, размещенный в начале линии, как показаио на рис 7.976. Из-за тока, протекающего через этот резистор, ухудшаются допустимые пределы помех схемы ЭСЛ при уровне В. Так как максимальный входной ток схемы ЭСЛ равен 0,1 мА, то при использовании 7?посл = 100 Ом уровень помех снижается

г=1м

5Внс.

-DfiB

Вр=тввм ф

, г=з.5м ,, .

ЯдЧ7О0Рм gj SBHt

U3.5M

-Di RmcsrSDOM -г Йо=85ВВм g)

f-r-

PfiB

Puc. 7.97. Возбуждение длинных линий на схемах ЭСЛ:

*с) соединение схем ЭСЛ одним проводником, расположенным далеко от проводящей, заземляющей поверхности; б) демпфирование колебаний последовательным резистором; в) соединение схем ЭСЛ двойным скрученным проводником; г) согласование с помощью последовательного сопротивления; • д) улучшение рабочих условий последовательным включением двух схем ЭСЛ

на 10 мВ. Оптимальное сопротивление резистора ?посл зависит от длины проводника. Вместо резистора [/?посл может быть использован ферритовый тороидальный сердечник. На рис. 7.97в две схемы ЭСЛ соединены парным пpoвoдJ НИКОМ с характеристическим сопротивлением Zo=1.10 Ом. Из-за отражений имеет место большое искажение сигналов в начале и конце соединительной линии. Вид сигналов может быть улучшен за стет использования последовательного резистора /?посл (рис. 7.97г). Как вытекает из рис. 7.976, влияиие отражений почти исключается, если для возбуждения соединительного провода используются две схемы ЭСЛ с параллельно включенными выходами.

На рис. 7.98а приведена схема с согласующим элементом в конце линии. Схема возбуждения питается через оконечное сопротивление от источника напряжения -2 В, которое иа незначительную вел!йчнну более отрицательно, чем

стандартный уровень Н сигналов в схемах ЭСЛ. При таком способе параллельного окончания искажение сигналов сравнительно мало, но возможность воз-никиовения сигналов помех за счет паводок от других линий значительно больше, чем при последовательном окончании. Так как у схем ЭСЛ имеются дополняющие выходы, а сами схемы могут работать как дифференциальные приемники, то с точки зрения помех более выгоден симметричный способ возбуждения (рис. 7.986). Длина линии передачи может достигать нескольких десят-

Рис. 7.98. а) Согласование линии на приемном конце; б) симметричное возбуждение линии; е) коаксиальный кабель с параллельным согласованием на приемном конце; г) последовательное согласование иа передающем конце

ZrllO

{>-

1=Вм

Емштте

отражша!

Щ*В£

0,5k

ков метров, и вместо параллельного окончания может быть использовано последовательное. На рис. 7.98е приведен пример использования схемы ЭСЛ, разработанной специально для возбуждения линий с характеристическим сопротивлением Zd=50 Ом. Вместо показанного способа окончания линии может быть-использован резистор с сопротивлением 50 Ом, подключенный к напряжению--2 В. На форме сигналов видно влияние отражений, вызванных при большом разветвлении п выхода линии входными емкостями подключенных схем. Если к выходу подключена только одна схема, то амплитуда отражений пренебрежительно -мала. Схема на рис. 7.98г имеет последовательное окончание линии. В изображенном случае эмиттерный резистор на выходе схемы возбуждения имеет сопротивление 330 Ом. Это сопротивление должно быть достаточно велико, чтобы ток эмиттерного повторителя был больше, чем ток разряда линии-при отрицательном изменении сигнала. В таком случае эмиттерный повторитель остается открытым и представляет для линии малое сопротивление. При неблагоприятных рабочих условиях амплитуда сигнала достигнет полной величины только после одного или нескольких отражений. При последовательном окончании влияние емкостных отражений не проявляется.

Интегральные цифровые схемы ряда ЭСЛ (ЭЭСЛ) Основная схема ЭСЛ и ее свойства

Упрощенная основная схема ЭСЛ представлена «а рис. 7.99а. Она состоит дифференциального усилителя «а транзисторах 7 Егоров Ti-Гз я из источника опорного напряжения. На базе транзистора Ге-

на рис.

из дифференциального усилителя «а транзисторах Tt, Ts, из входных транзите транзистора Г5 -

постоянное опорное напряжение, база транзистора Г4 управляется параллельно

1«

В,1В

•"3

-о илнIи-

-ОИЛ11-ИЕ1И-НЕ

-IfiB

0,35ВП

°ВВ 0-1.D5B,

-В,1В

b;ib\

o-5;w -=bb

-a в в -о-врв

-IfiSB

"взвв

Вход

Выход

-о--

:,-SZB

-J-о ев

-5,гв

Рис. 7.99. Схемы ЭСЛ:

а) базовая схема; б) режим работы при уровне Н на обоих входах; е) режим работы при уровне В иа одном входе

Рис. 7.100. Соединение двух схем ЭСЛ

включенными входными транзисторами, которые работают как эмиттерные повторители. В отличие от схем ЭСЛ, уровню Н соответствует напряжение -0,7 В, а уровню В - напряжение О В. Если на всех входах напряжение -0,7 В, то на базе транзистора Г4 -иапряжение -1,4 В. Если хотя бы на одном входе или на всех входах - иапряжение О В, то на базе транзистора Г4 - напряжение -0,7 В. Величина опорного напряжения -1,05 В на базе транзистора Г5 лежит посредине перепада напряжения сигнала -1,4-;-0,7 В на базе транзистора Г4. Напряжение -0,35 В на базе транзистора Ге лежит посредине стандартного перепада сигнала Оч-0,7 В. Если на входах всех транзисторов Ti-Гз - уровень Н, который более отрицателен, чем опорное напряжение на базе транзистора Гб, то ток течет через транзистор Г5. Бели же хотя бы на одном входе - уровень В, который более положителен, чем опорное напряжение на базе транзистора Те, то ток течет через транзистсф Г4. Рабочие условия наглядно показаны на рис. 7.996, е.

Из рис. 7/100, иа котором показано соединение двух схем ЭСЛ, следует еще