опасностью самовозбуждения каскада через проходную емкость. Для получения наибольшего устойчивого усиления

/Смаке = 0.42/5/(а)Сз1)

необходимо увеличить отношение крутизны к проходной емкости (S/Ca-ci). Проходную емкость в пентодах уменьшают путем тщательного экранирования анода от управляющей сетки. С этой целью экранирующую сетку делают с малым шагом, экранируют проводники вводов, а сами вводы укорачивают. Для этой цели в миниатюрных лампах исключается цоколь и применяется плоская ножка (рис. 14.9).

Вследствие тщательного экранирования ВЧ пентодов электростатическое воздействие анода на управляющую сетку и катод ослаблено, значительно уменьшена проходная емкость (до 0,003- 0,006 пФ), а внутреннее сопротивление возросло до 1-2 МОм. Из-за малого расстояния между сеткой и катодом крутизна характеристики миниатюрных пентодов достигает 5-8 мА/В, а отношение крутизны к проходной емкости составляет 1000-1600 мА/В-пФ. Благодаря большой крутизне и высокому внутреннему сопротивлению статический коэффициент усиления высокочастотных пентодов в среднем составляет 800-1500, а в некоторых лампах достигает 3000-6000.

Для неискаженного регулирования усиления K=SpRoe принимаемых сигналов выпускаются ВЧ пентоды с переменной крутизной характеристики.

Пентоды с переменной крутизной анодно-сеточной характеристики (рис. 14.10, а) имеют удлиненный участок АВ, в пределах кото-

Рис. 14.9. Высокочастотный пентод:

/ - баллон; 2 - анод: 3 - катод, 4, 6 а 7 - управляющая, экранирующая н защитная сетки: 5 и S - слюдяные изоляторы; 9 - токоотводы; W - штырьки

Y Рис. 14.10. Характеристика и схема устройства сетки пентода с перемен-

ной крутизной

рого крутизна изменяется плавно, что позволяет регулировать усиление без существенных искажений. Для получения переменной крутизны управляющую сетку выполняют с различным шагом навивки (рис. 14.10,6). Средняя часть сетки имеет больший шаг, чем по краям. Такая сетка имеет неодинаковую проницаемость, поэтому лампа обладает неодинаковым коэффициентом усиления.

При подаче на такую сетку большого отрицательного напряжения смещения Uc\ (см. рис. 14.10, с) участки /2 сетки, выполненные с. мзяым шагом (см. рис. 14.10,6), тока не пропустят; электроны с катода к аноду будут проходить лишь на участке U, где сетка выполнена с большим шагом. Общий анодный ток и крутизна характеристики в этом случае уменьшаются, что будет соответствовать работе лампы на участке АВ с малым усилением KiSiRq.

Если напряжение смещения Uc\" невелико, лампа открывается как на участке li, так и на участках I2. Общий электронный ток и крутизна характеристики возрастут, что соответствует работе лампы на участке ВС с большим усилением К2 = 2Яое- Аналогичным путем получают переменную крутизну характеристик в некоторых триодах.

Лампы с переменной крутизной анодно-сеточной характеристики применяют в радиоприемных устройствах с автоматической регулировкой усиления. Очевидно, что при приеме сильных сигналов рабочая точка усилителей ВЧ вы-бирается на участке с малой крутизной Sl характеристики (точка Oi на рис. 14.10, а), а при приеме слабых сигналов - на участке с большой крутизной 82- На выходе усилителя за счет разного усиления сглаживается разница в величине приходящих сигналов.

В табл. 14.1 в качестве примера приведены параметры типовых ВЧ пентодов с короткой (6Ж4П) и переменной (6К4П-Е) крутизной характеристик.

Высокочастотные широкополосные пентоды. Рассмотренные выше пентоды способны усиливать сигналы в относительно узкой (сотнп килогерц) полосе частот. Для широкополосного усиления {наряду с трподамп) разработаны специальные широкополосные пентоды.

В высокочастотных усилителях в качестве нагрузки применяется параллельный резонансный контур, сопротивление которого, а следовательно, и усиление зависят от частоты. Большее усиление

Таблица 14.1

можно получить на резонансной частоте fo, когда сопротивление контура является чисто активным,

co2oZ,2 L Q I Q

Ное -

RC «оС 2яС /о

где Q и R - добротность и активное сопротивление контура; L и С - индуктивность и емкость элементов контура.

Полоса пропускания параллельного резонансного контура Д/= =fo/Q. Очевидно, что для получения широкой полосы пропускания Af добротность контура Q должна быть низкой. Однако это ведет к снижению эквивалентного сопротивления контура

Кое -

2пС /о

и коэффициента усиления усилителя

2яСД/

Ко = SRoe -

2яСД/ 2яД/ С

Для обеспечения усиления в широкой полосе частот необходимо увеличить отношение крутизны к общей емкости контура. При высокой частоте на величину емкости контура существенно влияет конструктивная емкость ламп (выходная емкость Свых одной и входная емкость Свх следующей лампы), параллельно подключенных к контуру. В этих условиях удовлетворительное усиление в широкой полосе частот можно получить лишь от лампы, у которой коэффициент широкополосности (мА/В-пФ)

у=5/(Свх + Свь,х)

будет иметь большое значение. Это возможно в лампах с большой крутизной при относительно небольших входной и выходной внутриламповых емкостях.

У обычных ВЧ пентодов у = 0,1-0,3. Для удовлетворительного усиления в широкой полосе частот у должен быть значительно выше (примерно 1,5). Увеличение у достигается некоторым уменьшением емкости Свх и Свых и главным образом увеличением крутизны (за счет уменьшения расстояния между сеткой и катодом), улучшением токораспределения (в результате увеличения шага экранирующей сетки), повышением плотности тока, снимаемого с катода

Таблица 14.2