Главная страница Полупроводниковые электровакуумные приборы [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [ 144 ] [145] может возникнуть лишь при всех входных сигналах 1, что соответствует операции И-НЕ. Практическое применение получили ТТЛ -элементы со сложным инвертором, позволяющим увеличить его нагрузочную способность. В микросхеме такого элемента И-НЕ типа 1ЛБ344А (рис. 24.13, б) транзистор V3 выполняет функции эмиттерного повторителя, нагрузкой которого служит транзистор V4. При действии сигнала 1 на всех входах транзистор V2 открыт и насыщен, создается высокий потенциал на входе транзистора V4 (точка а), вследствие чего он будет открыт и насыщен. Из-за низкого потенциала на коллекторе транзистора V2 (точка б) транзистор V3 будет закрыт. Если на один из входов подать сигнал О, транзистор V2 закрывается, а V3 (вследствие повышения потенциала точки б) откроется и будет работать как эмиттерный повторитель. Прямое напряжение около 0,5 В на диоде V5 в схеме обеспечивает режим смещения и запирание транзистора V3 при открытом и насыщенном транзисторе V2. Это напряжение создается даже при небольших (несколько микроампер) токах закрытого транзистора V3. Схема ИЛИ-НЕ. Условное изображение этой схемы показано на рис. 24.2, б, а очередность операций уясняется из структурной схемы рис. 24.14, а. Входные сигналы в схеме воздействуют на элемент ИЛИ, а выходной сигнал снимается с элемента НЕ. При-реализации этой операции сигнал 1 возникнет на выходе схемы, когда на вход элемента НЕ воздействует сигнал 0. Последнее достигается при действии на обоих входах схемы ИЛИ-НЕ сигналов 0. ДТЛ схема, осуществляющая операцию ИЛИ-НЕ для отрицательной логики, приведена на рис. 24.14, а, а на рис. 24.14, б - ее временные диаграммы, иллюстрирующие ее работу. Для выполнения операций И-НЕ и ИЛИ-НЕ используют тонкопленочную микросхему ДТЛ-элементов К2ЛЫ71 (рис. 24.14, в). Операции И (ИЛИ) осуществляют диодной частью схемы {VI- V8, R1). Транзисторный каскад с ОЭ служит инвертором. Связь логического элемента И (ИЛИ) с инвертором осуществляется диодами V9, V10. которые обеспечивают запирание транзистора
*.EU6B] 0-Й- V9 VW Рис. 24.14. Схема ИЛИ-НЕ и ее диаграммы Оош, при невысоком положительном потенциале в точке А, соответствующем логическому О элемента И (ИЛИ). В этом режиме потенциал базы транзистора будет ниже потенциала точки А на величину суммы прямых напряжений диодов V9, V10 и достаточен для запирания транзистора. Микросхема осуществляет операцию И-НЕ при кодировке (О, 1), показанной на схеме. При сигнале О на всех входах все диоды открыты, потенциал точки А близок нулю, транзистор VII закрыт, потенциал на выходе близок к +Е2 (сигнал 1). При подаче на все входы сигнала 1 диоды VI-V8 закроются, потенциал точки А повысится до +Ei, транзистор перейдет в режим насыщения, потенциал на выходе снизится до значения 0. При сигнале О схема реализует операцию ИЛИ-НЕ, так как на выходе элемента появляется сигнал 1 при наличии сигнала О хотя бы на одном из входов. ОГЛАВЛЕНИЕ > РАЗДЕЛ 1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Г • И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ Глава 1. Общие сведения об электронных приборах и интегральных микросхемах § 1.1. Основные определения, назначение, область применения..... 3 § 1.2. Этапы развития техники электронных приборов и интегральных микросхем........ ........... 5 Глава 2. Физические основы работы электронных приборов § 2.1. Электропроводность твердых тел............... 8 § 2.2. Типы электропроводности полупроводников.......... 13 § 2.3. Генерация и рекомбинация носителей заряда......... 16 § 2.4. Распределение носителей заряда по зонам . . . . "...... 19 § 2.5. Концентрация носителей заряда в зонах......... . . 22 § 2.6. Процессы электропроводности полупроводников ...... 25 Глава 3. Физические явления при контакте полупроводников § 3.1. Структура электронно-дырочного перехода.......... 30 § 3.2. Свойства р-п-перехода при смещении............ 34 § 3.3. Методы формирования и виды р-п-переходов......... 37 § 3.4. Вольт-амперная характеристика р-п-перехода......... 40 § 3.5. Емкости электронно-дырочного перехода........... 43 § 3.6. Пробой электронно-дырочного перехода........... 45 Глава 4. Полупроводниковые диоды § 4.1. Структура, классификация и обозначение диодов........ 47 § 4.2. Характеристики диода............: : : . 49 § 4.3. Параметры полупроводниковых диодов............ 52 § 4.4. Выпрямительные диоды, столбы и блоки........... 55 § 4.5. Универсальные и импульсные диоды............. 59 § 4.6. Стабилитроны и стабисторы............... 62 § 4.7. Сверхвысокочастотные диоды . . .-.............. €4 § 4.8. Варикапы и варакторы.................... 68 § 4.9. Беспереходные диоды Ганна.................. 71 § 4.10. Туннельные и обращенные диоды............... 74 Га в а 5. Биполярные транзисторы § 5.1. Общие сведения о транзисторах................ 78 § 5.2. Принцип действия биполярного транзистора........... 81 § 5.3. Токи в биполярном транзисторе................ ° § 5.4. Физические параметры транзисторов.............. [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [135] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [ 144 ] [145] 0.0126 |