Bxl 0-Й-

Бхг0-ы-

БХЗ 0-

Bf.10-4-

6X20-

[ VJ WJ0-Й-ff

24.3. Диодно-резисторная схема ИЛИ и ее диаграммы

см уд

Рис. 24.4. Схемы ИЛИ на транзисторах

П П I п

Рис. 24.5. Диодная схема И и ее диаграммы

а)

БХ10-

BXZ0-

Вых «

± 1.-

BxZ0-

V3 ВЫХ

T •X

Рис. 24.6. Схема И с ограничителем

нет, то соответствующий диод через малое внутреннее сопротивление источника сигнала Ri будет шунтировать нагрузку схемы, вследствие чего исключается появление выходного импульса.

При различной длительности входных импульсов длительность выходного импульса определяется временем их взаимного перекрытия. Если амплитуда одного из входных импульсов С/„, окажется меньше EcuiUmEcM), то соответствующий этому импульсу диод открывается и своим шунтирующим действием препятствует дальнейшему возрастанию выходного напряжения. В результате амплитуда выходного импульса С/вых.т будет равна наименьшей амплитуде импульса Um на одном из входов схемы (С/вых.т=

Вследствие конечности значения сопротивлений Rt и /?д.пр возможно появление небольших по амплитуде паразитных сигналов на выходе (даже при отсутствии совпадения импульсов на входах):

/вых.пар « f/вых (Ri + Ra.up)/ [{Ri + Rn-np) + nR„],

где n - число входов, на которых отсутствует сигнал.

Чтобы исключить появление паразитных сигналов, в диодные схемы И вводят ограничитель по минимуму на диоде V3 (рис. 24.6). На рис. 24.6, а приведена диодная схема И с ограничением по параллельной схеме, а на рис. 24.6, б - с ограничителем по последовательной схеме. Напряжение смещения на ограничителе принимают Есм (0,14-0,2)Ясм- Если амплитуда паразитного сигнала С/пар£см, ТО ОН будет погашен ограничителем. Ослабление полезного сигнала с большей амплитудой будет небольшим.

Транзисторная схема И с последовательным включением транзисторов для отрицательной логики приведена на рис. 24.7, а, а с параллельным - на рис. 24.7, б. При последовательном включении каждый транзистор заперт напряжением смещения +Есы (см. рис. 24.7, а). При одновременной лодаче импульсов отрицательной полярности на оба входа транзисторы отпираются и переходят в состояние насыщения. На резисторе R эмиттерной цепи появляется выходной импульс. Если сигнал отрицательной полярности подается лишь на один вход, то второй транзистор остается закрытым и импульс на выходе не возникает.

Если транзисторы соединены параллельно (см. рис. 24.7, б), на их базы подается смещение отпирающей полярности от источника -Ек через резисторы Rm и /?б2, поэтому они открыты и находятся в режиме насыщения. В этом режиме сопротивление участка эмиттер - коллектор Гэк<С/?к, поэтому при отсутствии сигнала на входах выходное напряжение сигнала практически равно нулю: f/вых ~0. Если же на оба входа схемы поступают импульсы положительной полярности, транзисторы VI и V2 закрываются, а на выходе схемы появляется импульс отрицательной полярности с амплитудой ПтЕк. При подаче импульса положительной полярности лишь на один вход, например Вх1, транзистор VI запирается, однако выходной импульс не возникает из-за шунтирующего действия открытого транзистора V2. Для получения схемы И с

Рис. 24.7. Транзисторные схемы И

плпг

,1 1.

Рис. 24.8. Схемы НЕ и их диаграммы

0-

2 0-

-070

-05 -06

2 VZ

J с.

Рис. 24.9. Диодная сборка К2ЛП173 и ее включение по схеме ИЛИ

Рис. 24.10. Включение диодной сборки К2ЛП173 по схеме И

rz0+f,

«о 0