6. Значения сопротивлений делителя R1-R2 определяют исходя из условий, обеспечивающих стабильную работу триггера. Примем относительный разброс значений сопротивлений бл = 0,1, а относительную нестабильность питающих напряжений 6е = 0,1, тогда исходя из условия запирания триггера максимальное значение сопротивления

1-Bg £эб 1-0,1 1,5

1+8;? /комакс 1 + 0.1 15-10-6.24

Обычно мементы делителя принимают R = (23)R2. Примем Ri = 2Rs, тогда (исходя из условия необходимости разряда ускоряющей емкости через резисторы R1R2 при максимальной частоте запускающих импульсов) сопротивление резистора

R2 < 3/(6F„aKcC) = 3/6-96-103.620-10-12 ~ 8 ООО Ом = 8 кОм. Примем по ГОСТу R2=AJ кОм.

Сопротивление резистора R1 исходя из условия обеспечения насыщения транзистора при самом неблагоприятном случае (при /=-50° С). Для высокоомных нагрузок триггера коэффициент насыщения рекомендуется 5=1,24-1,5 В. В рабочем диапазоне температур Л/=-50-е-+20С он составит St=S{\+ahf), тогда

/?i=(l-2g«)/?.

21э(1 - аА<)

. (1-2.0,1)103 I-

.1 1 +[30 (1 -0,007.

\St + [213 (1 - аДО/(» - 2»я)] (fise/fi 30(1 -0,007-70)

70)/(1 - 2-0,1)] (1,5/12) 103/4,7-103 - l = 7,4 кОм. Примем по ГОСТу Д/=8,2 кОм.

7. Расчет параметров запускающих импульсов. Амплитуду запускающих импульсов выбирают больше напряжения смещения Ест на некоторую величину Д[/вх. Этот перепад напряжения примем небольшим, примерно А[/вх»<0,25 В, так как после запирания открытого транзистора он передается через ускоряющую емкость на коллектор запертого транзистора и создает на последнем ларазитный выброс напряжения. С учетом сказанного

<7вх = см + AfBx = 1,5 -f 0,25 = 1,75 В.

В период запуска генератор должен обеспечить ток, несколько превышающий ток насыщения,

вх = 1.2кн = 1 ,EJR = 1,2.12/103 ~ 15 мА.

Минимальная длительность входного импульса /и.мин определяется временем рассасывания неосновных носителей tp в транзисторе. При малой величине перепада Дв.ч в схеме отпирается лишь диод, подгслюченный к базе открытого транзистора, поэтому выключающий ток можно принять равным входному току:

и.мнн = <р ~Тэ(5- 1)/1,2А21э=(0,2Л21э л21б) [S,/(l - аД - 1]/1.2Л21э = = (0,2.39/106) [1/(1 0,007.70) - 1]/1.2.30 = 0,1,6 мкс.

Здесь Тэ= (0,20-0,27) А21э л21в -постоянная времени переходного процесса; для схемы с ОЭ большее значение коэффициента (перед корнем) принимается для дрейфовых транзисторов.

Пршстичеси! длительность входного импульса принимается с дву-трехкратным запасом. Принимаем длительность импульса

/„ = 3г;и= 3.0,16 «0,5 мкс.

8. Расчет переходной цепи. Увеличение напряжения на переходной емкости за

9 -f.

Рис. 23.9. Схема триггера с эмиттерной связью и его амплитудная характеристика

время действия импульса должно быть небольшим, примем его Л{/с = /вхС« «0,05 В, тогда емкость переходной цепи должна быть

С >/bxU0,05= 15-10-3.3,5.10- 6/0,05 = 0,15 мкФ. Выберем по ГОСТу С = 0,15 мкФ.

9. Выбор диодов для схемы определяется необходимостью иметь малое время переходных процессов в них (малое время установления прямого и восстановления обратного сопротивления). Этим требованиям удовлетворяют диоды Д223А, обеспечивающие четкую передачу запускающих импульсов.

Несимметричный триггер с эмиттерной связью. Такие триггеры- триггеры Шмитта (рис. 23.9, а) применяются для формирования импульсов прямоугольной (или произвольной) формы из синусоидального напряжения, а также в качестве порогового устройства, реагирующего на определенный уровень сигнала. В отличие от симметричной схемы в схеме этого триггера одна кол-лекторно-базовая цепь связи заменена эмиттерной связью. Она образуется резистором эмиттерной цепи, вследствие чего незначительно влияние нагрузки на работу триггера.

Схема имеет два устойчивых состояния, в одном из них транзистор VI открыт, а V2 закрыт; в другом - наоборот. Перевод триггера из одного устойчивого состояния равновесия в другое осуществляется внешним напряжением Ивх, подводимым к входу транзистора VI. Схема сохраняет одно из двух устойчивых состояний до • тех пор, пока диапазон изменения входного напряжения не будет равен интервалу между нижним и верхним порогами срабатывания, следовательно, триггер с эмиттерной связью является схемой индикации уровня.

Схема несимметричного триггера работает следующим образом. Предположим, в исходном состоянии Ивх==0, в этом случае с делителя RkiR1R2 на базу транзистора V2 подается отрицательное смещение, поэтому транзистор V2 открыт и насыщен.. Транзистор VI закрыт напряжением смещения, которое возникает на резисторе Ra за счет тока транзистора V2. Выходное напряжение

Ubux=EkRs/(Rk2+Rb).

При увеличении отпирающего (отрицательного) напряжения (рис. 23.9, б) до значения Ubx=Ui транзистор VI (см. рис. 23.9, а) открывается, потенциал его коллектора повышается, а ток базы транзистора V2 уменьшается. Когда Ивх достигнет значения U2,

транзистор V2 выйдет из режима насыщения и завершится лавинообразный процесс перехода схемы в устойчивое состояние, при котором транзистор VI будет открыт и насыщен, а 1/2 закрыт. Выходное напряжение станет Ивых=£к-/коРк2- Дальнейшее увеличение отпирающего напряжения на входе схемы уже не вызовет изменения выходного напряжения г/вых.

Напряжение называют напряжением срабатывания. В исходное состояние схема вернется в случае, когда входное напряже-

Рис. 23.10. Схема несимметричного триггера на разноструктурных транзисторах

отпускания) транзистора Vl

t/BX=f/3<f/2.

ние снизится до значения запирания практически до некоторого значения

Неснм.метричный триггер можно выполнить на транзисторах с различной проводимостью {р-п-р и п-р-п, рис. 23.10). В такой схеме в исходном состоянии оба транзистора VI и V2 закрыты. Когда напряжение на входе превышает порог срабатывания, транзисторы открываются и переходят в режим насыщения. Поскольку в исходном состоянии оба транзистора закрыты, такая схема более экономична, чем схема с однотипными приборами.

§ 23.6. Блокинг-генераторы

Под блокинг-генератором понимают автоколебательную систему, генерирующую кратковременные прямоугольные импульсы с большой скважностью. По схемному построению он представляет собой однокаскадный усилитель с глубокой положительной обратной связью, осуществляемой импульсным трансформатором. Связь блокинг-генератора с нагрузкой обычно трансформаторная. Различают самовозбуждающиеся и ждущие блокинг-генераторы.

Самовозбуждающиеся блокинг-генераторы. Обратная связь в схеме самовозбуждающегося блокинг-генератора с коллекторно-базовой обратной связью и базовым конденсатором (рис. 23.11, а) осуществляется с помощью обмотки трансформатора Тр, включенной в цепь базы. В эту же цепь базы включены формирующий конденсатор Сь и резистор смещения Яь. Связь с нагрузкой Ru трансформаторная (через обмотку w-r).

При включении источника питания в коллекторной цепи транзистора появляется ток /к (рис. 23.11, в). С его ростом в обмотке обратной связи Wt индуктируется э. д. с, которая передается на базу транзистора, в результате чего понижается потенциал на базе (рис. 23.11, д). Это приводит к появлению и росту тока базы, дальнейшему увеличению коллекторного тока /к (рис. 23.11, в) и повышению потенциала f/к на коллекторе (рис.