Главная страница  Полупроводниковые электровакуумные приборы 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [ 135 ] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145]


Рис. 23 4. Схема и диаграммы самовозбуждающего MB

конденсатор С2 начнет разряжаться (по цепи, показанной штриховой линией с двумя стрелками). При разряде напряжение на конденсаторе С2 уменьшается, следовательно, .потенциал [/б2 базы транзистора V2 стремится к нулю. К моменту времени ti напряжение транзистор V2 отпирается, в коллекторной цепи появляется ток /к2, а потенциал 02 скачком возрастает. Перепад напряжения, возникающий на коллекторе, подается через конденсатор С1 на базу транзистора VI и закрывает его, а напряжение [/к1 на коллекторе транзистора VI скачком уменьшается. Это изменение (перепад) напряжения через конденсатор С2 подается на базу транзистора V2 и еще больше способствует его открыванию. Таким образом, схема окончательно переходит в состояние, при котором транзистор V2 полностью открывается, а VI закрывается.

После это о в интервале времени Л-2 происходит разряд конденсатора С1 по цепи, аналогичной цепи разряда конденсатора С2, в течение времени x=R6iCi, и схема принимает исходное состояние. В дальнейшем процесс повторяется.

Мультивибратор переходит из одного состояния в другое в момент достижения базовым напряжением (см. рис. 23.4, б) нулевого уровня. Например, к моменту времени 2 заканчивается разряд конденсатора С1, потенциал базы транзистора VI достигает нулевого уровня, вследствие чего он открывается, а V2 закрывается (потенциал IJk2 скачком уменьшается). В результате на выходах Вых. 1 и Вых. 2 мультивибратора появляются непрерывные серии импульсов, длительность которых определяется временем разряда конденсатора, включенного между коллектором открытого и базойЗакрытого транзисторов: Ti л; 0,7/622; Гг» 0,7611. Период колебаний

Г = 7-1-f-72 = 0,7 (/622 + Лб А).



С-jT

II . II

Г т

«32


Рис. 23.5. Схема MB с развязывающими диодами

Для симметричного мультивибратора i?6i--62=6 и Ci= С2=С, поэтому Г =1,4 ieC.

Частоту следования импульсов удобно регулировать изменением сопротивлений в цепи базы, а также напряжения (рис.

23.5). Для регулирования напряжения [/б используют делитель R1R2, причем большему напряжению t/б соответствует большая частота колебаний.

В схеме мультивибратора с развязываюшими диодами (см. рис. 23.5) при закрывании транзистора ток коллектора снижается до нуля, однако велик зарядный ток конденсатора. Этот ток, проходя по резистору коллекторной цепи, создает на нем падение напряжения, поэтому потенциал на коллекторе повышается и задний фронт импульса сглаживается. Более прямоугольные импульсы можно получить, если конденсаторы связи С1 и С2 отделить от коллектора диодами V3 и V4. В этом случае потенциалы точек съема импульсов при закрывании транзисторов будут меняться мгновенно.

Ждущие мультивибраторы. Эти мультивибраторы имеют одно устойчивое состояние. В ждущем MB с эмиттерной связью (рис. 23.6, а) в исходном устойчивом состоянии схемы на базу транзистора V2 через резистор R62 от источника подается отрицательный потенциал, поэтому транзистор V2 открыт, а транзистор VI закрыт положительным напряжением смещения, снимаемым с резистора Ro3- Конденсатор С2 заряжается током базы /ег транзистора V2 по цепи (указанной на схеме штриховой линией с одной стрелкой) до значения э д. с. источника Дк-


Рис. 23.6. Схема и диаграммы ждущего MB



при Гюдачё пускового импульса t/san положительной полярности на коллектор транзистора VI (или импульса отрицательной полярности на базу) последний начинает открываться, потенциал на его коллекторе повышается и через конденсатор С2 передается на базу транзистора V2, вследствие чего последний начинает за-, крываться.

Закрывание транзистора V2 сопровождается уменьшением тока коллектора и снижением потенциала на резисторе Ros, что приводит к возрастанию тока в цепи базы транзистора VI, способствующего его открыванию. С открыванием транзистора VI начнется разряд конденсатора С2 током tp по цепи, указанной на схеме штриховой линией с двумя стрелками.

Время (в секундах), в течение которого транзистор V2 будет удерживаться в закрытом, а V/ в открытом состоянии, определяется постоянной времени цепи разряда, т. е. произведением сопротивления резистора (в омах) и емкости конденсатора (в фарадах) /л;0,7Рб2С2.

К концу разряда конденсатора С2 потенциал на базе транзистора V2 снижается до нуля (рис. 23.6, б), в результате чего транзистор V2 открывается, а VI закрывается и схема мгновенно возвращается в исходное устойчивое состояние до поступления нового пускового импульса. В конце этого процесса на выходе MB (с нагрузки Ркг) снимают импульсы [/к2 отрицательной полярности. Их длительность можно плавно регулировать резистором кб2, а изменение скачком - конденсатором С2.

Диаграммы напряжений на базе V2 и коллекторах транзисторов изображены на рис. 23.6, б.

Расчет ждущего мультивибратора с эмиттерной связью (см. рис. 23.6, а) произведем для следующих условий: амплитуда импульса UmzS В; длительность импульса 11 = 8 мкс; период повторения запускающих импульсов Ги = = 20 мкс; диапазон температур от мин = -50° С до манс = +60°С; полярность выходных импульсов отрицательная. ТКП а=0,05ч-0,01 1/град.

1. Выбор напряжения источника питания производим с некоторым запасом:

£к=1,1 (f/„2 + f3) = l.l(8+0,25.8) = llB,

где Umz-амплитуда выходного импульса на транзисторе V2;

Us - напряжение на резисторе Яэ за счет эмиттерного тока V2; обычно оно составляет иэ=(0,2ч-0,3)[/т2-Примем £к=12 В.

2. Выбор транзистора. В этой схеме между базой и коллектором V2 в первый момент прикладывается обратное напряжение, близкое к двойному напряжению 2£к, поэтому предельно допустимое напряжение база - коллектор транзистора [/„ео должно быть больше 2£„, т. е. [/„бо2£к=2-12=24 В. Примем транзистор МП40А, у которого [/нбо = 30 В; А21э = 20; /ко=15 мкА.

3. Расчет сопротивлений резисторов /?к2 и Rs. Током коллектора транзистора V2 обычно задаются меньше допустимого, т. е. /н</ндоп=150 мА. Чтобы потребление мощности схемой было небольшим, примем /н2н=10 мА, тогда

RV2 = f;„2 K2„ = 8/10.10-3 800 Ом. Выбираем по ГОСТу /„2 = 820 Ом.

Для получения импульса хорошей формы и стабильной амплитуды открытый транзистор должен находиться в режиме насыщения. Глубина насыщения харак-




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77] [78] [79] [80] [81] [82] [83] [84] [85] [86] [87] [88] [89] [90] [91] [92] [93] [94] [95] [96] [97] [98] [99] [100] [101] [102] [103] [104] [105] [106] [107] [108] [109] [110] [111] [112] [113] [114] [115] [116] [117] [118] [119] [120] [121] [122] [123] [124] [125] [126] [127] [128] [129] [130] [131] [132] [133] [134] [ 135 ] [136] [137] [138] [139] [140] [141] [142] [143] [144] [145]

0.0229