0 6j

Рис. 21.23. Схемы подачи фиксированного смещения

сопротивление усилителя. В зависимости от выходной мощности и режима работы каскада ток делителя принимают /„= (2-f-5)/o6-С ростом тока /д возрастает потребление энергии и снижается к. п. д. каскада. Такой способ смещения находит применение в усилителях режима В при малых колебаниях температуры.

В схеме с ОЭ смещение фиксированным тоКом базы от общего источника осуществляется через большое гасящее, сопротивление резистора R1 (рис. 21.23, б). Начальный ток базы /об = - {Е-Uo6)/JRi. Пренебрегая Uo6 по малости, IEJRi, отсюда следует, что ток базы зависит только от внешних параметров. В схеме с ОЭ ток базы /об определяется коэффициентом передачи h2\3=Iv.1h, который весьма различен у однотипных транзисторов, поэтому схема с фиксированным током базы малопригодна для серийной аппаратуры, а также чувствительна к температурным колебаниям. В схеме с ОБ режим смещения задается фиксированным током (рис. 21.23, в), протекающим через эмиттерный переход и R1. Конденсатор Cg разделяет постоянную и переменную составляющие тока. Через этот конденсатор по переменной составляющей база получает нулевой потенциал, поскольку для переменной составляющей сопротивление конденсатора Хси следовательно, потенциал базы близок к нулю.

В приведенных схемах смещение на транзистор подается как параллельно с источником сигнала (см. рис. 21.23, а), так и последовательно с ним (см. рис. 21.23, бив). Для отделения по постоянному току выхода источника сигнала от управляющего электрода транзистора в схемах включен разделительный конденсатор Cl (см. рис. 21.23, а и б).

Термостабилизация рабочей точки. Температурная стабилизация режима работы усилителя достигается введением в схему отрицательной обратной связи по току, напряжению или комбинированной. Для стабилизации рабочей точки при изменениях температурного режима работы транзистора схемы усилителей дополняют элементами эмиттерной и коллекторной стабилизации.

Эмиттерная стабилизация режима осуществляется при помощи ООС по постоянному току через эмиттерный резистор Rg (рис. 21.24, а). Ток /д, проходя по Аэ, создает на нем падение напряжения, которое действует в противофазе с фиксированным напряже-

нием смещения, снимаемым с резистора R2 делителя R1R2. С увеличением температуры возрастает ток /д, что вызывает увеличение токов /б и /к. Возрастает напряжение lJit = IgRg на резисторе R, вследствие чего автоматически повысится результирующий потенциал на базе Еде = -Ur+Ur, что вызовет уменьшение токов /д, /б и /к- Емкость Сэ блокирует по переменному току резистор /?э, благодаря чему устраняется падение напряжения сигнала на резисторе, чем исключается ООС по переменному току и сохраняется постоянство коэффициента усиления каскада.

Коллекторная стабилизация осуществляется при помощи ООС по напряжению, которая достигается подключением резистора RI непосредственно к коллектору транзистора (рис. 21.24, б). С увеличением температуры и возрастанием тока /к (от исходного значения /ок) увеличивается падение напряжения на R и соответственно уменьшается (по абсолютному значению) напряжение на коллекторе U=E-IkRk и базе, что вызывает снижение тока базы /б, а следовательно, и тока /к, который стремится возвратиться к своему исходному значению /ок-

Более высокую стабильность работы обеспечивают схемы с комбинированной ООС по току и напряжению (рис. 21.24, в). Обычно комбинированная обратная связь вводится лишь для постоянного тока. Чтобы исключить обратную связь по переменному току, резистор Rs (элемент ООС по току) шунтируют конденсатором Cg большой емкости.

Термокомпенсация р-абочей точки. Температурная компенсация режима предусматривает применение в схемах нелинейных элементов, параметры которых зависят от температуры. В качестве нелинейных (температурно-зависимых) элементов используют терморезисторы, диоды, транзисторы.

На рис. 21.25, а в делитель, подключенный к базе, вместо резистора R2 установлен терморезистор, который при нормальной температуре имеет сопротивление, необходимое для установления начального рабочего режима. Через коллектор протекает требуемый ток покоя. С повышением температуры сопротивление терморезистора уменьшается, снижается напряжение между базой и эмиттером, вследствие чего ток покоя коллектора остается постоянным. Для компенсации разброса параметров транзисторов и получения требуемой характеристики термочувствительного элемента последовательно и параллельно с терморезистором включают линейные (лучше переменные) резисторы R3 (рис. 21.25, б).

Терморезисторы обладают неодинаковой с транзистором температурной инерционностью. Лучшие результаты при компенсации дает включение диода в качестве термочувствительного элемента (рис. 21.25, е).

Температурные коэффициенты напряжения эмиттерно-базового перехода транзистора и диода, включенного в прямом направлении, одинаковы. Можно подобрать приборы с одинаковым температурным изменением обратных токов, что обеспечит более полную компенсацию.

< 5)

к R1

сг !

1. П.Т

Рис. 21.24. Схемы температурной стабилизации режима транзистора q)--0 б) I-0 SJ

"1,

I \rz

/ t" 1 \R3

i-

Рис. 21.25. Схемы температурной компенсации

п и>

R3 Щд

г) --J-г-+Г

.vz-

jj„ mi,,

Рис. 21.26. Схемы стабилизации

Рис. 21.27. Схемы питания усилителя