S} 1

Т йл Т г / г -»-о- о-»-о-1

а) 1

Рис. 21.14. Схемы с общим эмиттирующим электродом

г 4 1 В) г

-о-1 о-*-о- /о-

Рис. 21.15. Схема с общим управляющим электродом

/о- 1 о-

4> т

Рис. 21.16. Схемы с общим управляемым электродом:

а - с общим коллектором; б - с общим стоком; е - общим анодом

Рис. 21.17. Схема параллельной ООС по току

Рис 21.18. Каскад с ОК и последовательной ООС по напряжению

а) е,

6 0+-1-

Рис. 21.19. Схемы операционных усилителей: с - с инвертированием; б - с неинвертированием сигнала; е - операционного повторителя

ОС по току. Таким образом, в схеме с ОБ действует 100%-ная параллельная ООС по току.

Учитывая влияние ООС на свойства усилителя, для схем с .общим управляющим электродом можносделать следующие выводы: коэффициент передачи по току близок единице; сигнал усиливается ло напряжению и мощности (усиление по мощности немного мень-ще, чем в схемах с общим эмиттирующим электродом); входное сопротивление минимально, а выходное - максимально. Схемы обла дают хорошими частотными свойствами и малыми нелинейными искажениями. Эти свойства усилителя проявляются в большей мере с увеличением ООС, которая возрастает при увеличении сопротивления источника сигнала.

Схемы с общим управляемым электродом (см. рис. 21.16, а) рассмотрим как схемы с общим эмиттирующим электродом, но с введенной ОС. Свойства этих усилителей проследим на примере •схемы с ОК (рис. 21.18). В этой схеме напряжение, действующее между базой и эмиттером С/бэ, определяется разностью напряжений источника сигнала ви и выходного С/вых на нагрузке Ru- Увеличение потенциала на базе транзистора за счет бц сопровождается снижением тока эмиттера и, как следствие, напряжения С/вых на нагрузке н. Это приводит к увеличению напряжения С/бэ и транзистор закрывается меньше. В схеме действует, отрицательная ОС. Напряжение ОС равно выходному напряжению, поэтому ООС полная (100%-ная). В схеме действует последовательная ОС по входу, так как при обрыве источника сигнала напряжение ОС не будет подаваться на УЭ. При коротком замыкании сопротивление нагрузки ОС исчезает, поэтому повыходу эта ОС создается по напряжению. Действующая в схеме с ОК 100%-ная последовательная ООС по напряжению определяет свойства усилителя. Изменение сопротивлений Гн и Rh в схеме сопровождается изменением влияния ООС на качественные показатели усилителя. Аналогичное влияние ОС оказывает в схемах рис. 21.16, б и е.

В схемах с общим управляемым электродом имеет место увеличение коэффициента передачи тока и усиление мощности, а усиление сигнала по напряжению меньше единицы; входное сопротивление максимально, а выходное мало; частотные свойства хорошие, а нелинейные искажения невелики; полярность усиливаемого сигнала на выходе усилителя не меняется. По значению и фазе выходное напряжение близко к напряжению, действующему на входе (повторяет его), поэтому схемы с общим управляемым электродом называют повторителями. При этом различают схемы эмиттерного, истокового, катодного повторителей.

Операционные усилители (рис. 21.19). В настоящее время используются операционные усилители в качестве активного УЭ (усилительного прибора) с большим коэффициентом усиления. Они выполнены в виде ИМС. ОУ является универсальным и многофункциональным узлом многих радиоэлектронных устройств. Обычно ОУ имеет два входа и один выход. Знак «минус» на одном из входов ОУ означает, что выходное напряжение меняет фазу на 180° отно-

Рис. 21.20.. Схемы составных транзисторов

сительно напряжения, подводимого на этот (инвертирующий) вход. Знак «плюс» на другом входе означает, что выходное напряжение совпадает по фазе с напряжением, подводимым к этому (неинвер-тирующему) входу. Питание ОУ осуществляется от идентичных раз-нополярных источников Е1 и Е2.

Составные транзисторы. В качестве УЭ, когда не удается подобрать для конкретной схемы транзисторы с нужными параметрами, используются составные транзисторы. Они представляют собой комбинацию из двух и более транзисторов, соединенных таким образом, что число внешних выводов комбинированной схемы равно числу выводов одиночного транзистора. На рис. 21.20 приведены наиболее часто применяемые схемы составных транзисторов.

Схема (рис. 21.20, а) Дарлингтона собирается на транзисторах р-п-р или п-р-п, включаемых с ОЭ, ОК или ОБ. Более эффективно включение составного транзистора с ОЭ и ОК. Эквивалентный коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ (см. рис. 21.20, а) практически равен произведению коэффициентов передачи отдельных транзисторов /1213-213-1213-2-

Транзисторы У/ и У2 в схеме (см. рис. 21.20, а) работают в разных режимах. Ток /32 превышает /gi (почти в /1213-2 раз). Для выравнивания токов параллельно эмиттерному переходу транзистора V2 включают резистор. Входное сопротивление составного транзистора в схемах с ОЭ и ОК (при невысоком сопротивлении нагрузки), больше, чем у отдельных транзисторов; полярность сигнала не меняется; граничная частота несколько ниже наиболее низкочастотного из применяемых транзисторов.

Составной транзистор на разноструктурных транзисторах р-п-р и п-р-п (рис. 21.20, б), как следует из направлений результирующих токов, относится к р-п-р-тщ. Поскольку каждый транзистор изменяет полярность сигнала, схема представляет неинвертирую-щий усилитель. С выхода схемы все напряжение подается на вход (эмиттер Vt) в противофазе с входным сигналом,, подводиглым в цепь базы. В схеме действует 100%-пая последовательная ,00(,по напряжению. Из-за глубокой ОС входное сопротивление ..подучат ется большим, а выходное весьма малым. При коэффициечте.л-Р.С р=1 сквозной коэффициент-.передачи тока оказ>1вается -мень