|
|
|
Главная страница Микропроцессоры [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [ 20 ] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] управления чтением и записью данных во внутреннем По способу хранения информации в запоминающих элементах полупроводниковые ЗУ оперативного действия делятся на статические и динамические. Статическими называются ЗУ, в которых положение хранимых данных и их значения не изменяются в процессе хранения и считывания. Статические элементы таких ЗУ способны хранить информацию до тех пор, пока подается электропитание, т. е. сколь угодно долго. К таким элементам относятся, например, триггеры. Модель модуля статической памяти представлена на рис, 3.12. Здесь показаны следующие сигнальные линии
Линии данных Питание Рис. 3.12. Модуль статической памяти модуля статической памяти: т - число входных однонаправленных линий, задающих адрес слова; п - число двунаправленных линий данных, соответствующих числу бит в каждом слове; Чт/Зп - однонаправленная линия чтения и записи данных; «Разрешение» - линия для управления операциями чтения и записи. Очевидно, что в данном случае с т-адресными линиями и «-линиями данных модуль статической памяти будет содержать 2"» слов по п бит в каждом слове. Если на линию «Разрешение» подать сигнал логической «Ь, то будет совершена какая-либо операция, если сигнал логического «О», то линия будет свободна. Если сигнал на линии Чт/Зп соответствует логической «1», то Модуль статической памяти будет находиться в режиме Чтения, иначе - в режиме записи. На практике модули статической памяти могут иметь Некоторые отличия от приведенного на рис. 3.12. В частности, все двунаправленные линии данных могут быть заменены раздельными входными и выходными линиями; вместо одной линии «Разрешение» могут функционировать две отдельные линии: одна для управления чтением, вторая для управления записью. В отличие от статических динамические ЗУ представляют собой устройства, в которых хранение информации обеспечивается периодической регенерацией содержимого. Специфика динамических ЗУ заключается в том, что динамические элементы могут хранить информацию только определенное (причем весьма короткое) время. Для сохранения информации в динамических элементах ее необходимо регенерировать, т. е. обновлять, восстанавливать. Примером динамического элемента, хранящего 1 бит информации, может служить заряженный конденсатор. Модель модуля динамической памяти представлена на рис. 3.13. В модели модуля динамической памяти по- Адресные линии Чтение/запись Разрешение Выборка
Линии данных Питание Рис. 3.13. Модуль динамической памяти мимо линии «Разрешение» имеется еще одна управляющая линия - «Выборка», которая в динамической модели управляет линиями данных, переводя их при подаче логического «О» в свободное состояние, и частично выполняет функции линии «Разрешение» в статической модели. Линия «Разрешение» выполняет остальные функции внутреннего управления аналогично таковым в статической памяти. При чтении и записи в динамической памяти сигнал поступает одновременно на обе линии; при регенерации возбуждается только линия «Разрешение». В результате выполнения каждой операции регенерации осуществляется обновление содержимого некоторого числа ячеек модуля памяти. Так как внутри модуля памяти образуется двумерная матрица, то адрес слова формируется из адреса строки и адреса столбца такой матрицы. Операция регенерации заключается в задании адреса обновляемых ячеек памяти и последующей подаче сигнала на линию «Разрешение». При этом на линию Чт/Зп должен быть подан сигнал логической «1». Весь процесс регенерации в МПС, как правило, протекает в течение 4-8 мкс. Использование динамических элементов на практике весьма эффективно. Так, динамические полупроводниковые ОЗУ подчас обладают более высоким быстродействием, чем статические, и являются более экономичными потребляют меньшую мощность). ПЗУ, или односторонние запоминающие устройства, допускают только считывание информации, а потому используются для хранения постоянной информации: списков констант, имеющих частное использование; таблиц для преобразования данных; синтезированных кодов печатаемых знаков; программ управления работой МПС, называемых операционной с1стемой МПС. Основными свойствами ПЗУ являются: большой объем памяти одной интегральной схемы ПЗУ; сравнительно низкая стоимость; малая потребляемая мощность; оперативное время обращения (35-1200 не); неразру-шаемое хранение. Ввод информации в ПЗУ производится или в процессе изготовления, или при подготовке ПЗУ к эксплуатации [(вычислительному процессу). В последнем случае ПЗУ называются постоянными запоминающими устройствами с изменяемым в процессе эксплуатации содержимым или ППЗУ. Типичный модуль ПЗУ, не требующий специальных управляющих сигналов, представлен на рис. 3.14. Емкость ПЗУ в различных системах разная и может составлять от 4 до 40 Кбайт. Время выборки информации из ПЗУ в среднем составляет 0,4 мкс. Простейший модуль памяти включает в свой состав только один модуль ПЗУ. Большинство ПЗУ содержат встроенный дешифратор. Как правило, ПЗУ имеют 4- или 8-битные ячейки. Так как в ПЗУ отсутствуют управляющие входы, то этот тип памяти имеет сравнительно небольшие габариты. Программирование ПЗУ. В соответствии с требованиями к работе постоянных программ заранее разрабатываются все логические комбинации расположения бит Б-48 65 [0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [ 20 ] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] 0.013 |