Схема составного транзистора выполнена трехкаскад-ной. Регулирующий транзистор состоит из двух параллельно включенных транзисторов Тб, Т7 с уравнивающими резисторами R11, R12,

Для уменьшения минимального падения напряжения на регулирующем транзисторе и улучшения стабильности в условиях повышенной температуры эмиттеры транзисторов ТЗ и Т5 соединены через резисторы соответственно R8 и R10 с положительным выводом источника.

В схеме использованы высокочастотные транзисторы, что повышает вероятность возникновения незатухаю-

щего колебательного процесса, для предупреждения которого в схеме с помощью конденсаторов С2, СЗ вводится отрицательная обратная связь, а на выходе включен конденсатор С4.

Следует отметить, что применение высокочастотных траизнсторов средней н батьшой мощности в схемах стабилизаторов часто приводит к возникновению высокочастотной генерации, причиной которой является не замкнутая система авторегулировання, а особенности коллекторной характеристики этих транзисторов. Дело в том, что при определенных режимах работы некоторые экземпляры высокочастотных транзисторов на коллекторной характеристике в области перегиба имеют небольшой участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, который и является причиной высокочастотной генерации. Характерным признаком этой причины является высокочастотная генерация в диапазоне I...30 МГц, в отличне от генерации замкнутой системы авторегулировання, которая обычно не превышает 10.. 20 кГц. На возникновение высокочастотных колебаний в первую очередь влияют паразитные параметры монтажа, которые определяются конкретной конструкцией, и параметры транзисторов, которые в условиях серийного производства могут иметь предельные величины.

Радикальный метод борьбы с таким явлением - шун-тироваине коллекторных переходов высокочастотных траизнсторов высокочастотным конденсатором емкостью 10 ООО пФ, который подключают непосредственно к выводам транзистора.

Схема защиты от перегрузок по току построена по принципу запирания стабилизатора тока усилителя рассогласования. Оригинальность примененного схемного решения заключается в том, что наличие в схеме стабилизатора дополнительного запираемого транзистора Т2 позволяет значительно увеличить сопротивление двухполюсника в запертом состоянии н тем самым улучшить эффективность вапнраиия регулирующего элемента [3]. В результате при срабатыванин схемы защиты выходное напряжение на нагрузке уменьшается в десятки раз по сравнению со схемами, в которых питание усилителя рассогласования шунтируется полупроводниковым прибором.

Для предотвращения срабатывания схе\пя защиты от перегрузок по току от случайных помех в схему включен конденсатор С/. Для того чтобы схема защиты не

срабатывала при включении от тока заряда выходного конденсатора С5, он включен до датчика тока R4.

Схема защиты от перенапряжения построена по принципу форсированного перегорания предохранителя. Тиристор Д2 шунтирует вход схемы, а управляет им транзистор Т4, сигнал иа который поступает с мостовой схемы сравнения через транзисторную пороговую схему - аналог тиристора {Т9, ТИ). ь

S3.. т«

о-20в 0.75А

2Т203Г

M5U Д8!8Д

•1 Рис. 9. Схема стабилизатора напряжения 20 В; 0,75 А с полупроводниково-релейной защитой от перегрузок по току

Световая индикация работоспособности стабилизатора выполнена иа лампе накаливания Л1.

Элементы схемы: резисторы R4, R11, R12 - С5-16В; R14, R18, R23, /?25 -СП5-16ВА; остальные - ОЛУ1Т; конденсаторы С2...С4 - К73П-3; С/, С5 - К50-6; предохранитель Пр1 - ВП1-1.

Технические данные

Напряжение, В:

входное.......,.....16... 24

номинальное выходное....... 12,6

Ток нагрузки, Л.......... 3

Суммарная нестабильность, мВ .... 200 Пульсация выходного напряжения, .мВ 0,5 Ток срабатывания схемы защиты, А (3,5...4) ±5% Напряжение срабатывания схемы

защиты, В.............(13,8... ]5)±3%

Диапазон рабочих температур, "С . . -10 ... +40

Стабилизатор иапряжения 20 В; 0,75 А с полупровод-никово-релейиой схемой защиты от перегрузок по току