Главная страница  Устройства электропитания 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [ 16 ] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77]

фициенты усиления по току, что и обусловливает наиболее существенный временный дрейф этих параметров.

Выбирая полупроводниковые приборы, следует помнить, что в пределах одного типа группы с наивысшими аиачениями параметра обладают меньшей надежностью н склонны к большим изменениям, так как их параметры соответствуют пределам технологических возможностей. Приборы с наивысшими параметрами составляют малый процент от общего выхода, следовательно, оии дороже, более дефицитны, что будет вызывать затруднения комплектации при серийном производстве.

Величины параметров полупроводниковых приборов согласно техническим условиям лежат в некотором интервале значений. Разработку схем на полупроводниковых приборах следует проводить таким образом, чтобы схема была работоспособна при замене вышедших из строя приборами выбранного типа, параметры которых лежат в оговоренном интервале значений.

При разработке и изготовлении аппаратуры запрещается производить отбор и сортировку полупроводниковых приборов на группы. Отбор приводит к снижению надежности аппаратуры, повышает ее трудоемкость, себестоимость и практически исключает воз.можность ремонта.

Предпочтительно использование полупроводниковых приборов в облегченных режимах (но не предельных минимальных значениях), так как это повышает их надежность. Полупроводниковые приборы более устойчиво работают при больших токах и малых напряжениях (при условии равенства рассеиваемой мощности).

При конструировании ИВЭП с целью повышения их надежности необходимо применять все возможные меры к облегчению тепловых режимов всех элементов и в первую очередь полупроводниковых. С этой целью мощные и маломощные полупроводниковые приборы устанавливают на теплоотводы. Теплоотвод необходимо применять не для того, чтобы увеличить мощность рассеяния сверх установленной техническими условиями, а для максимального снижения рабочей температуры переходов при заданной мощности. Цель применения теплоотвода - повышение надежности работы полупроводникового прибора. Теплоотводы - тайне же основные детали блока, как н конденсаторы, резисторы, трансформаторы. Необходилю проектировать теплоотводы с самого начала разработки



схемы, а ие на последнем ее этапе, когда труднее обеспечить оптимальный режим их использования.

ИВЭП - устройство силовой преобразовательной техники,теплоаая мощность которого, рассеиваемая в его блоке, всегда имеет значительную величину. Одно из основных направлений уменьшения массы и габарита ИВЭП - это интенсификация отвода тепла из блоков. Наряду с отводом тепла прн естественной конвекции, принудительном воздушном охлаждении используют жвдкостиое охлаждение, отвод тепла с помощью «тепловых трубок» и «холодных стенок».

В процессе расчета схемы разработчик сталкивается с необходимостью выбора полупроводниковых элементов, большое разнообразие которых затрудняет выбор оптимального варианта (при этом в первую очередь следует руководствоваться перечнем элементов, разрешенных к применению для данного изделия). Из множества пара-негров в первую очередь следует выделять основные, по которым полупроводниковые приборы наиболее резко отличаются друг от друга. К таким параметрам относят максимальную постоянную мощность, которую прибор может рассеять без теплоотвода или с теплоотводом; максимальные напряжения на переходах; максимальный ток через переход; максимальную частоту усиления; максимальную температуру перехода.

При выборе транзистора по мощности не следует использовать маломощные транзисторы на больших мощностях, близких к предельно допустимым, и мощные транзисторы на малых токах без радиаторов. Оба режима отрицательно сказываются иа параметрах схемы. Лучше применять маломощный транзистор с небольшим теплоотводом, чем большой мощности без теплоотвода.

Частотный предел полупроводникового прибора должен соответствовать требованиям схемы. Не следует без особой необходимости применять высокочастотные диоды и транзисторы: высокочастотные переходы более критичны к перегрузкам. При выборе по напряжению следует помнить, что высоковольтные приборы более дорогие. Транзисторы с близкими допустимыми величинами обратных напряжений коллекторного н эмиттерного переходов имеют меньший коэффициент усиления по току.

Для повышения надежности полупроводниковых приборов следует снижать их рабочее напряжение и величину тока. Надежность диодов н транзисторов увеличива-



ется в десятки раз при выборе рабочих режимов иа 30% ниже предельно допустимых. Рекомендуемый коэффициент нагрузки полупроводниковых приборов 0,1.--0,7.

Разработка новых технологических процессов изготовления полупроводниковых приборов приводит к вытеснению германия как исходного материала. Кремниевым приборам свойственны более высокие надежности и электрические характеристики, поэтому выпуск приборов на основе германия в нашей стране сокращается. При перспективных разработках следует отдавать предпочтение кремниевым полупроводниковым приборам.

За последние годы отечественная промышленность освоила и выпускает серийно ряд интегральных микросхем компенсационных стабилизаторов непрерывного и импульсного регулирования (см. приложение 2). Наряду с такими специализированными микросхемами в ИВЭП находят применение н микросхемы другого функционального назначения. Так, в качестве усилителя рассогласования используют операционные усилители, а в стабилизаторах с импульсными методами регулирования и преобразователях напряжения применяют генераторы сигналов различной формы, мультивибраторы, триггеры, микросборки. Использование микросхем в ИВЭП позволяет повысить надежность, улучшить выходные параметры блока в целом. Однако в каждом конкретном случае применение той или иной интегральной микросхемы должно быть решено с позиций заданной оптимальности.

i 1 f t




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [ 16 ] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] [77]

0.0443