VibccMiNua компоненты

шеннй этой ээдачи заключается в. прдсоеднненнн ие-. больших высококаче(:11йхkoHJUHiScwpcm Ьй]рйй1 лельцо. крупным конденсаторэм (гл. 6 и 8), Такой метод способствует тэкже номпенсэцни возрастания по-следовательног-о сопротивления по мере старения оксидного конденсатора и тем самым поддержанию фильтрующей эффективности схемы. Для фнльтрацив

1 г:

Рис. 2.6. Модель сосредоточенного импеданса для реальных ка* тушек иидуктиБности.

СВЧ-помех момсно воспользоваться проходными коп» денсаторами, монтируемыми в экранах для создания необходимой развязки между входом и выходом.

"На рис. 2.6 представлена модель сосредоточенного импеданса для реальных катушек индуктивности. Здесь L-номинальная индуктивность в генри, Йр - сумма сопротивлений утечки и сердечника в омах»

-сопротивление витков в омах и Ср - паразитная емкость в фарадах, обусловленная внешними выводами катушки и ее конструктивными особенностями* (Обратите виимаиие иа то, что иеэкраннрованные катушки индуктивности с незамкнутым магнитопроводом сердечника являются прекрасными антеннами дЛй магнитных полей.) При частоте / [Гц] импеданс катушки индуктивности вычисляют по формуле

Z=V/I = [(/2n/L + Rr + URp + /2л/Ср]~ [Ом].

Семейство типичных кривых зависимости импе данса реальных катушек иидуктивиостн от частоты приведено на рис. 2,7. Обратите внимание на их сходство с кривыми импеданса для иизкоомиых резисто--"

Глам 2

ров на рис. 2.3. Если отень велико, Rs Очень мало, то можно воспользоваться следующими выра-

10-*

fffc

Рис. 2.7. Импеданс реальных катушек индуктивности.

жениями для расчета импеданса (приняв fc = = l/f2n(LCp)i/21 [Гц1).

\Z\R, [Ом] при f < Rs/2nL [Гц], 1 Z I « 2«/L [Ом] при R,/2nL<f<fJ3[rn]. Z = [(L ?,Cp)2 + Cpl"[0Ml при / = /ЛГц]. . 1Z I (2я/Ср)- [Ом] при / > 3/, [Гц].

У стандартных высокочастотных дросселей Rs заключено в пределах 0,2 Ом < /?s < 5 Ом, а паразитная емкость - в пределах 1,5 пФ < < 4 пФ. Ка-

тушки индуктивности для поверхностного монтажа имеют /?, <. 10 Ом и Ср от 0.2 до 20 пФ,

На рис. 2.8 представлена модель сосредоточенного импеданса для реальных трансформаторов. Одна обмотка имеет индуктивность L] (в генри), сопротивление Нз\ (в омах) н паразитную емкость Ср\ (в фарадах), другая соответственно L2, Rs2 и Ср2. Обмотки

Рис. 2.8. Модель сосредоточенного импеданса для реальных трансформаторов.

связаны Взаимной индуктивностью Lm и межобмоточной емкостью Ст. На рис. 2.9 показаны типы переходных процессов, наблюдаемых в трансформаторах, многие из которых обусловлены межобмоточной емкостью, У стандартных трансформаторов межобмоточная емкость лежит в пределах 10 пФ < Сж < <: 50 пФ, тогда как у трансформаторов с разделенным каркасом обмотки (рнс. 2.10, а) Си уменьшается до и:15 пФ, а экранирование трансформаторов электростатическими экранами вокруг обмоток может еще более понизить Cm (до «0,001 пФ) при соответствующих заделке выводов и подсоединении экранов (гл. 8).

Ряд проблем связан с сердечником трансформатора. Шихтованному сердечнику свойственно существенное рассеяние магнитного потока, что вызывает помехи в проводниках и электровакуумных приборах. Один из способов подавления рассеиваемого магнитного потока заключается в намотке вокруг трансфор-i