Главная страница  Электронные системыпри проектирования 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [ 75 ] [76]

ГЛОССАРИЙ

Высокие частоты. Частоты свыше 300 кГц

Дифференциальный передатчик. Схема, потребляющая и ге» нерирующая примерно одинаковые токи, текущие соответственно по обратному и прямому сигнальным проводам. Передает сигналы дифференциальному приемнику по симметричным линиям связи.

Дифференциальный приемник. Схема, чувствительная только к разности напряжений в прямом и обратном проводах.

Дифференциальный сигнал. Разность напряжений между прямым и обратным сигнальными проводами.

Диэлектрическая проницаемость. Величина, равная отношению электрической индукции в материале к напряженности электрического поля. Диэлектрическая проницаемость вакуума е =а 8,85418782 пФ/м.

Запас помехоустойчивости. Различие между выходным напряжением передатчика и минимально необходимым входным напряжением приемника.

ИС. Интегральная схема.

КМОП ИС. ИС на структуре металл - оксид - полупроводник с комплементарными (п- и р-канальнымн), полевыми тран-висторами.

Коэффициент заполнения синхросигнала. Отношение длительности синхросигнала к его периоду.

Магнитная проницаемость. Величина, равная отношению магнитной индукции в материале к напряженности магнитного поля. Магнитная проницаемость вакуума =1125663706 мкГнУы.

МОЛ ИС. ИС на структуре металл - оксид - полупроводник [к МОП ИС относятся КМОП, пМОП и рМОП ИС).

пМОП ИС. МОП ИС. содержащая полевые транзисторы с каналами п-типа.

рМОЛ ИС. МОП ИС, содержащая полевые транзисторы с каналами р-типа.

Объединительная плата [панель). Печатная плата, служащая для соединения всех остальных плат.

Обратный провод. Провод, по которому течет ток от нагрузки и источнику.

Оконечная нагрузка. Схема, расположенная в конце длинноД линии связи для уменьшения отражений сигналов.

ОУ. Операционный усилитель.



Плоская волна. Волна, у которой направлеине распространения одинаково во всех точках пространства.

Предельно допустимое отклонение (ПДО). Разность между номинальным и истинным значениями параметра компонента, превышение которой означает выход его нз строя. Выражается в процентах от номинального значения.

Симметричная линия связи. Линия связи, обеспечивающая одинаковые сопротивления, емкость и индуктивность прямого и обратного проводов. Линии связи, состоящие из скрученной пары, симметричны, коаксиальные кабели несимметричны.

Синфазные сигналы. Сигналы с одинаковой фазой, распространяющиеся по прямому и обратному сигнальным проводам.

Скин-зффект. Рапределение переменного тока преимущественно в тонком приповерхностном слое проводника.

Сплошной слой земли. Проводящий слой с низким импедансом, имеющий нулевой потенциал, по которому течет ток обратного сигнала.

Строб-импульс входных данных. Сигнал, загружающий не-синхроннзированные данные в триггер или защелку для их обработки схемой синхронизации.

Толщина скин-слоя. Толщина слоя в веществе, прн прохождении которого электромагнитное поле ослабляется в е раз по сравнению с величиной на поверхности проводника.

ТТЛ ИС. Транзисторно-транзисторные логические ИС, реализуемые на биполярных транзисторах.

Удельное сопротивление. Электрическое сопротивление цилиндрического проводника единичной длины и единичной площади поперечного сечения. Медные проводнкки, используемые при электромонтаже, имеют удельное сопротивление 17,2 нОм-м.

Ферритовое кольцо. Цилиндр из ферримагнитного материала € высоким удельным сопротиалением с одним или несколькими отверстиями, надеваемый иа провод. При высоких частотах его сопротивление велико, а при низких частотах его сопротивлеинв очень мало.

Электромагнитная совместимость. Способность электронныя систем к совместной работе без ухудшения их характеристик.

Электромагнитная восприимчивость. Ухудшение характеристин электронной системы при воздействии электромагаитного поля.

9СЛ ИС. Логические ИС с эмиттерными связями, ИС Q эмиттерно-связавной логикой.



ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Антенные эффекты 52, 52

Бержерона диаграмма 204 Биполирные транзисторы 39,76, 179

Блуждающие токи 91 Буферные платы 50

89 89

Варистор 88

Выбросы тока 34, 37, 42,

- иапряжеиия 75, 87, 88, Выводы 46

- изогнутые 47

- параллельные 47

- противоположно направлен иые 47

Выпрямители 37

Гальванический эффект 52 Гасящий резистор 56

Дарлингтона пара 179 Двигатели 83, 84 Делитель емкостной 58

- резистивно-емкостной 70

- резистивный 58, 69 Диоды 37

- выпрямительные 89

- Шотки 38

Дифференциальный сигнал 54

- усилитель 59 Диэлектрическая проницаемость 180, 182

Длинные выводы 50, 162 Дребезг 55, 80

Дроссель 109 Дуговой разряд 78. 84

Емкостная нагрузка 56

Заземление 45, 51, 52, 98

- гирлянда 104

- комбинированное 103

- многоточечное 102 одноточечное 101, 102

- плавающее 100 Заземляющая перемычка 115

- плоскость 105, 106

- сетка 106, 107

Запас помехоустойчивости 233 Защелкивание 38, 75 Звон 89

Зеебека эффект 52 «Земля» 45

- корпусная 99

- сигнальная 99

- силовая 92. 99

- схемная 92, 99

Источники питания импульсные

86. 93 - линейные 86. 87, 94

Кабель коаксиальный 69, 133 - плоский 69 КМОП ИС 70 Компактный монтаж 77 Компрессия 111 Конденсаторы 28, 179 Контактные площадки 106




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [ 75 ] [76]

0.0216