Главная страница  Электронные системыпри проектирования 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [ 72 ] [73] [74] [75] [76]

В ближней зоне (г<Я,/2я ImIJ напряженность электрического поля максимальна в плоскости ху


Рнс. 3.3. Система координат для расчета излучения контура малой площадн.

(в = ±90°)\ а магнитного поля -на оси г (Э = 0°, ЗсЫ80°). В плоскости ху имеем (рис. 3.1),

Z„ = {yY -(У2яг) + /(У2яг)»

(А/2ЯГ) - / (г,/2яг)2 - (V2jv)S (р/е)"[0м1 при г>Л/2я[м], (р/8)"(2ягА)[Ом] при г<Я,/2я[м1.

Все эти формулы выведены в предположении, что импеданс диполя бесконечен, а импеданс контура равен нулю, однако реальные схемы имеют конечный ненулевой импеданс. Если импеданс схемы высок, Z = \ / > 376,7 Ом, то на расстоянии г < 376,7Я/2я2 ,1м] она создает электрическое поле с Zw = Z [Ом]. При г > 376,7V2jiZ [м] Zw соответствует кривой для-короткого диполя (рис. 3.4). Аналогично, схема с низким импедансом, Z == V/1 < 376,7 Ом, на расстоя- нии г 376,7A,Z/2n [м] создает магнитное поле с Z„=Z [Ом]: При г > 376,7Яг/2я [м] Znr соответ-



ствует кривой для контура малой площади (рис. 3.4). Эти изменения zw следует учитывать при расчете эффективности экранирования схемы.

Возмущение в характер распространения электромагнитных волн могут внести стоячие волны. Когда

Z,G»f

Влттричесное - no/ie

10"

SOCUr

А1аеттто9 U лот

вата

/г?-*лг» 10-f 10 7

70 70 70"

Рис. 3.4. Волновые сопротивления электрического и магнитного полей прн конечном импедансе источника.

длина проводника превышает л)к/4 [м], протекание тока в нем перестает быть однородным, что умень шает интенсивность излучаемого электромагнитного, поля, а также напряжения и токи, индуцируемые внешними полями. Модели короткого диполя и контура малой площади являются консервативными и



ПРИЛОЖЕНИЕ И

ДЕЙСТВИЯ С КОМПЛЕКСНЫМИ ЧИСЛАМИ

Пусть V и / - комплексные числа или векторы (рис. И.1):

где } = л/-1. Модули этих чисел равны У-(а» + бУ, \1\ = {С + (РУ.

могут предсказать появление помех, которые на практике будут отсутствовать.

В дальней зоне (г К/2п [м]) электрическое и магнитное поля имеют примерно равные волновые сопротивления Zau « Т1 (376,7 Ом на воздухе). В ближней зоне (г < %/2к [м]) Zw может быть больше, равно или меньше т]. Если Zw > Ч, напряженность электрического поля преобладает и оно стремится индуцировать разность потенциалов в ближайших проводниках. Если Zw < т], преобладает магнитное поле, которое индуцирует ток в ближайших проводниках. Уровень возникающих в схеме помех будет зависеть от импеданса схемы и волнового сопротивления воздействующего на нее электромагнитного поля. Максимальный уровень помех возникнет тогда, когда поле с высоким волновым сопротивлением действует на схему с высоким импедансом (емкостная модель перекрестных помех) или когда на схему с низким импедансом действует электромагнитное поле с низким волновым сопротивлением (индуктивная модель перекрестных помех).

Рекомендуемая литературе

I. Schelkunoff S. А. Electromagnetic Waves. Princeton. NJ D. Van Nostrand Co., Inc., 1943.




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [ 72 ] [73] [74] [75] [76]

0.0301