ции. На частоте f [Гц] импеданс конденсатора имеет вид

IZ\ = V/1 = iJ2nfC + l/RpГ + /2f+ [Ом].

На рис 2.5 представлены типичные 1фивые зависимости импеданса реальных конденсаторов от частоты. При больших последовательных сопротивлениях Re на кривой импеданса наблюдается плато вблизи собственной резонансной частоты fc = l/[2n{CLs)*

с Ls IT,

i-ЛЛЛг

Рис. 2.4. Модель сосредоточенного импеданса для реальных конденсаторов.

[Гц], а при малых последовательных сопротивлениях Rs на этой частоте имеет место резкий провал.

Проанализировав ураетение импеданса конденсатора, легко найти, что самый быстрый й наиболее плавный переход от емкостного поведения (/ < fc) к индуктивному (/ >i/c) происходит при Rs » 1,41 (Ls/C)/2. Назовем поэтому сопротивление

критическим последовательным сопротивлением конденсатора. Если последовательное сопротивление конденсатора Rs Rc, его импеданс можно аппроксимировать выражениями

J ZI « {2nfC)- [Ом] при / < (2я/гЛ~ [Гц].

\Z\*Rs [Ом] при {2nRjCr</<iRJ2nL,) [Гц],

\Z\ 2iifLs [Ом] при / > {RJ2:iL,) [Гц].

Если Rs <. Rc, to С н Ls резонируют вблизи частоты fc. В этом случае выражения для импеданса будут Следующими:

1Z1« (2nfC)- (Ом] прн f < иг [Гц],

-уменьшаясь до

\Z\RAOm] прн / = /ЛГц1.

а затем возрастая до

IZI « 2n/L. [Ом] при / > 3/ [Гц].

В табл. 2.2 приведены диапазоны последовательных индуктивностей, последовательных сопротивле-

\zURc 10

10Г* tcr lar ю-

Рис 2.5. Импеданс реальных конденсаторов.

НИИ, сопротивлений утечки и собственных резонансных частот, присущие широко используемым конденсаторам. Как правило, резонансная частота конденсатора должна значительно превышать рабочую частоту схемы. Для конденсаторов с высокой емкостью достичь этого довольно трудно. Одно из простых ре-

Ml < . • :i I

TagjHn» S.2. Параметры кояденс»торов