Главная страница  Электронные системыпри проектирования 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [ 6 ] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

ции. На частоте f [Гц] импеданс конденсатора имеет вид

IZ\ = V/1 = iJ2nfC + l/RpГ + /2f+ [Ом].

На рис 2.5 представлены типичные 1фивые зависимости импеданса реальных конденсаторов от частоты. При больших последовательных сопротивлениях Re на кривой импеданса наблюдается плато вблизи собственной резонансной частоты fc = l/[2n{CLs)*

с Ls IT,

i-ЛЛЛг

Рис. 2.4. Модель сосредоточенного импеданса для реальных конденсаторов.

[Гц], а при малых последовательных сопротивлениях Rs на этой частоте имеет место резкий провал.

Проанализировав ураетение импеданса конденсатора, легко найти, что самый быстрый й наиболее плавный переход от емкостного поведения (/ < fc) к индуктивному (/ >i/c) происходит при Rs » 1,41 (Ls/C)/2. Назовем поэтому сопротивление

критическим последовательным сопротивлением конденсатора. Если последовательное сопротивление конденсатора Rs Rc, его импеданс можно аппроксимировать выражениями

J ZI « {2nfC)- [Ом] при / < (2я/гЛ~ [Гц].

\Z\*Rs [Ом] при {2nRjCr</<iRJ2nL,) [Гц],

\Z\ 2iifLs [Ом] при / > {RJ2:iL,) [Гц].

Если Rs <. Rc, to С н Ls резонируют вблизи частоты fc. В этом случае выражения для импеданса будут Следующими:

1Z1« (2nfC)- (Ом] прн f < иг [Гц],



-уменьшаясь до

\Z\RAOm] прн / = /ЛГц1.

а затем возрастая до

IZI « 2n/L. [Ом] при / > 3/ [Гц].

В табл. 2.2 приведены диапазоны последовательных индуктивностей, последовательных сопротивле-

\zURc 10


10Г* tcr lar ю-

Рис 2.5. Импеданс реальных конденсаторов.

НИИ, сопротивлений утечки и собственных резонансных частот, присущие широко используемым конденсаторам. Как правило, резонансная частота конденсатора должна значительно превышать рабочую частоту схемы. Для конденсаторов с высокой емкостью достичь этого довольно трудно. Одно из простых ре-



Ml < . • :i I

TagjHn» S.2. Параметры кояденс»торов

Тио жоядвасатора

Lg, иГв

Л,, Ом

«р. Оы

Алюнаниевый S-bu*

2-100

0,003-100

>17»

0.001-0,5

водной

Алонинневый 4-вы-

0.04-2

0)11-2,6

0,02-1

в«дной

Алюминиевый фольго-

0.001-0.3

>35*

0,02-1

Керамический диско-

1-30

0.005-27

>5-10»

2-800

вый с акскальнымн

выводакн

Керамический проход-1 Ной

0,001-1

аб-зоо

>1000*

160-10000

Керамический с по-

0,06-30

0,005-6

>1000*

2-60000

верхностным монта-

Стеклянный

1.4-10

0,01-2

>№•>

6-1000

Слюдяной

0.Б2-2Б

0,1-47

7-10»

Б-ТООО

Лавсановый пленоч-

Б-60

0.01-5

1000*

2-35

Бумажный

6-160

1-16

>20*

2-15

Поликарбонатный

12-55

0,001-5

>1БО0О*

0.1-15

пленочный

Полиэфирный пленоч-

5-60

0Д)1-б

>1000»

2-35

Полипропиленовый

6-75

0,001-0,5

>30000

0.3-15

пленочный

Полистирольный пле-

8-50

0,16-3,2

9-10»»

6-100

Н0ЧНЫ&

Фарфоровый

0,02-2

0,01-0.8

>l0io

35-16000

Многослойный

2-10

0,5-1,3

>1 ООО*

1-80

Танталовый проход-

4-20

0.7-20

>50*

0.02-1

Танталовый фольговый

18-50

0,05-0.5

0,02-1

Полупроводниковый

0.6-20

0,1-10

>б0*

0-60

танталовый

Таиталовый с поверх-

0)2-1,5

0.04-3

>50*

1-20

ностным монтажом

Таиталовый жидкостной

Фторопластовый

2,3-50

0,05-15

>160*

0.02-1

15-55

0.02-1

>90000*

0.7-10

пленочный

* Уквзаны удельные аначения ы

1 Ф. RpRl/C




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [ 6 ] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

0.0122