Отражения линиях связи

Рис. Е.4. a-74LSxx (ТТЛ)д e-74Sxx (ТТЛ).

210 РТрияФмени* В

«ЗВОН» или отрицательный выброс, а уровень сигнала принимает значения между максимальным уровнем О и минимальным уровнем 1, вероятность возникнове ния помех в схеме очень велика. Изучите график V{I), чтобы выявить причины возникновения помех и способы их устранения.

На рис. Е.4 представлены кривые нагрузки приемника и передатчика для нескольких серий цифровых ЙС. Масштаб на оси напряжения 1 В, на оси тока 10 мА, наклон прямой, образующей с осями угол 45% отвечает импедансу линии связи Zo = 100 Ом.

Несколько общшс дамеча»н«. Уровень снгнлла, отраженного от оконечной нагрузки, пропорционален половине рассогласования импедансов. Если Rt отличается от Zo не более чем на 20%, то отраженный скачок напряжения будет менее 0,1 начального скачка напряжения. Такой уровень отражения вполне допустим для большинства цифровых ИС, однако в высокочастотных аналоговых и быстродействующих цифровых ИС его следует снизить. Практический метод точного согласования импедансов оконечных нагрузок в линиях связи описан в гл. 6.

Если изделие рассчитано на массовое производство, я настоятельно рекомендую проектировать все длинные кабели с расчетом на худший случай. Прн расчете линии связи воспользуйтесь формулами приложения Д и свойствами диэлектриков, опнсаннымк . в приложения В. Затем постройте диаграммы Бержерона для линий связи с наибольшим и наименьшим нмпедансам1Г ш для линий связи с наибольшими и наименьшимл оконечными нагрузками (всего четыре графика). Если есть вероятность появления положи-. тельных или отрицательных выбросов, «звона», импульсных помех или проблем, связанных с синхронизацией, выявите возможные причины возникновения помех и найдите способы ш. устранения.

Рекомшдуемая литература

1. Blakeslee Т. R. Digital Design with Standard MSI and LSI. New York: John Wiley and Sons. 1976.

2. Metzger C, Vabre J.-P. Transmission Lines with Pulse Excitation. New York: Academic Press, 1969.

3. Norris В.. ed. Digital Integrated Circuits and Operational Amplifier and Optoelectronic Circuit Design. New York: McGraw-Hill Book Co., 1976.

4. Scarietl /. A. Translor-Tranaistor Logic and its Info-con-nectioQfi. New York: Van Nernd ReitAold Co.. 1972.

5. Singleton R. S. No Need to Juggle Equations to Find Reflection-Just Draw Three Lines. Electronics, 41 ;22 (October 29, 1968). p. 93-99.

ПРИЛОЖЕНИЕ Ж

ПЕРЕКРЕСТНЫЕ ПОМЕХИ В ЛИНИЯХ СВЯЗИ

Под перекрестными помехами понимают паразит-ную связь между схемами, возникающую преимущест-венно из-за близкого расположения проводников на

Рис. Ж.1. Модель перекрестных помех с распределенным импе--даысом.

значительном расстоянии. На рис. Ж.1 показана общая модель возникновения перекрестных помехсрас пределенйыми параметрами, а на рис. Ж.2 и Ж.З - упрощенные модели с шсредоточеннымн иарамехра*