|
|
|
Главная страница Электронные системыпри проектирования [0] [1] [2] [3] [4] [ 5 ] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] Рис. 2.2. Модель сосредоточенного импеданса для реальных ре Зисторов. С индуктивностью L [Гн] Z = V/I - j2nfL [Ом] на частоте f [Гц] (рис. 2.1). Здесь Z, V и / - комплексные величины (см. приложение И). В действительности все эти компоненты имеют паразитное сопротивление, паразитную емкость и паразитную индуктивность. Эти паразитные составляющие обычно практически не сказываются на низкигс частотах, однако на высоких частотах их вклад может стать доминирующим. На рис. 2.2 показана эквивалентная модель реального резистора с сосредоточенным импедансом. Здесь R - номинальное сопротивление в омах, Ls - паразитная последовательная индуктивность в генри и Ср - паразитная параллельная емкость в фарадах; паразитные составляющие появляются из-за наличия выводов резистора и особенностей его конструкции. На частоте / [Гц] импеданс резистора имеет вид Z = К = [(/? + }2кЮ~ + /2я/СрГ [Ом]. На рис. 2.3 показаны типичные кривые зависимости импеданса реальных резисторов от частоты. Представленное семейство кривых имеет две особенности: импеданс высокоомных резисторов вначале не зависит от частоты, а затем уменьшается, в то время как импеданс низкоомных резисторов вначале не зависит от частоты, затем резко возрастает, образуя пик, й падает. строгому описанию; импедансы этих компонентов рас- считываются с помощью следующих соотношений: для резисторов с сопротивлением R [Ом] Z = V/I - = R [Ом], для конденсаторов емкостью С [Ф Z = = =(/2л/С)- [Ом], для катушек индуктивности > дамваясь различными авачениямн R, Ьз и "Ci» можно обнаружить, что R » 1,55 {L«/Cp) является наименьшим сопротивлением, которое не приводит IZl/Rc  ЯГ* 10 10- 7(5- 7 1<fi 10 fife Рис. 2.3. Импеданс реальных резисторов. К появлению пика на кривой импеданса. Поэтому назовем параметр /?,= 1,55(LJC)/MOm1 критическим сопротивлением резистора. Если сопротивление резистора RRc [Ом], приближенные выражения для импеданса будут иметь вид IZI « /? [Ом] при / < {2п/?СрГ [Гц], IZ1« (2п/Ср)- [Ом] при / > 2лRCpГ [Гц] Пмсмшые комлонАиты Vi При R.<:Rc IOmJ L, Яч C: резонируот иа-язсготе /с» 1 / [2я{LeCp) J [Гц]. Тогда имп€даде можно ejH проксимировать формулами , IZ I « /? [Ом] при / < R/271L, [Гц], IZI « 2я/£, [Ом] при R/2nL, < / < /Гд!. повышаясь до IZI = [(L, ?CpF + UC,f [Ом] при / = [Гц], а затем спадая до 1ZI « (2п/Ср)- [Ом] при / > 3/, [Гц]. В табл. 2.1 приведены значения паразитных составляющих и собственных резонансных частот чаще Таблица 2.1. Параметры резисторов
всего используемых резисторов. В общем случае желательно, чтобы резонансная частота резистора на» много превышала рабочую частоту схемы для предотвращения резких изменений импеданса. На рис. 2.4 представлена модель сосредоточенного импеданса для реальных конденсаторов. Здесь С - номинальная емкость в фарадах, Ls - паразитная последовательная индуктивность в генри, Rs - последо-* нательное сопротивление в омах и Rp - сопротивление утечки в омах. Как и у резисторов, паразитные составляющие появляются из-за наличия выводов у конденсатора и вследствие особенностей его конструк- [0] [1] [2] [3] [4] [ 5 ] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76] 0.0085 |
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||