Конетрумрмание на худший случай 179

платы VI попадает в диапазон 19,773-24,959 В, можно считать, что плата выдержала испытания.

Эмпирические правила выбора значений лекото рых параметров и их допусков. Значения параметров и допусков, требуемых при конструировании на худший случай, часто нелегко отыскать в спецификациях, илн они могут вообще отсутствовать. Ниже приводится сводка значений некоторых параметров, взятых из различных спецификаций на стандартные компоненты; в этой сводке использован также богатый опыт фирмы IBM, накопленный при изготовлении и испытании печатных плат.

Биполярные транзисторы: Vta » 0,35 В -Vbe (max). Усе « о В - Vce (max), Hfe0,5 Hf* (min). Сопротивление утечки переходов (коллектор-эмиттер, коллектор- база, эмиттер - база) 10 кОм.

Электролитические конденсаторы} ПДО « производственный допуск ±40 %.

Неэлектролитические конденсаторы: ПДО » 3 производственных допуска.

Пары Дарлингтона: Vbe « 0.70 В - Уьл (max), V«»0,35 В-Vce(max), RbeVbe{max)/Ib нли Rbe > Vbe (max) Hfe (min) c. Я„ >0,5 Hfe (min).

Сопротивление утечки переходов (коллектор- эмиттер, коллектор - база, эмиттер - база) 10 кОм.

Диоды: «0,35 В - К/(max). Прямое динамическое сопротивление «1-12 Ом. Сопротивление утечки 10 кОм (при напряжениях ниже пробивного).

Полевые транзисторы: « О Ом -(max), Id < 10/d(max>.

Сопротивление утечки (исток - сток) 10 кОм.

Катушки индуктивности: ПДО « 3 производственных допуска.

Интегральные схемы: допуски на сопротивление резисторов ±50 %, согласование резисторов « ±3 %.

Напряжение туннельного пробоя перехода эмиттер - база 6,6-7,4 В.

Ток утечки транзистора при разомкнутом коллекторе -250--h250 мкА.

Времена задержки, времена распространения, времена нарастания и спада фронтов сигналов могут

ПРИЛОЖЕНИЕ Б

СВОЙСТВА ТИПИЧНЫХ ПРОВОДНИКОВ

В табл. Б.1 приведены наиболее важные свойства проводников, которые обычно используются в электронных системах. Диэлектрическая проницаемость всех хороших проводников в » 8,854 пФ/м (е, ass 1), а другие свойства зависят от химического состава материала, его обработки и окружающих условий. Например, путем соответствующей термообработки магнитную проницаемость ц = 1,257рг [мкГн/м] ряда никелевых сплавов можно повысить в 100 раз.

Номер группы указывает на относительную гальваническую активность проводников. К группе I относятся химические элементы и материалы с наиболее выраженными анодными свойствами (с высокой гальванической активностью), а к группе V-материалы с наиболее выраженными катодными свойствами (гальванически неактивные). Проводники одной группы совместимы и при контакте во влажных условиях ие

меняться от половины типичного значения до максимального номинального значения.

Значения других параметров аналогичны значениям соответствующих параметров дискретных компонентов.

Реле: контактное сопротивление fsiO-1,5 Ом. Резисторы: ПДО « 3 производственных допуска. Пружинные щу/т: контактное сопротивление «0-2 Ом.

Переключателю контактное сопротивление «О--1,5 Ом.

Рекомендуемая литература

1. Blakeslee Т. R. Digital Design with Standard MSI and LSI. New York: John Wiley and Sons. 197Б.

2. Taylor N. H. Designing for Reliability. Proceedings of the IRE. 45:6 (June 1957), p. 811-822.

Свойст»9 типичных проводников 1в1

(Таблица Б.1. Свойства типичных проводников