Список обозначении

? - tpaHC$opMaTOp и - йГн

- переключатель, ключ ансформатор тегральная схема

Физические величины

А - площадь контура [м]; коэффициент ослабления электромагнитного излучения экраном [дБ]

Аа - коэффициент ослабления электромагнитного излучения отверстием в экране [дБ1

В -внутренний диаметр трубки [м]; коэффициент повторного отражения [дБ]

Ва - коэффициент повторного отражения в отверстии экрана [дБ]

С - емкость [Ф]

С - скорость света в вакууме « 2,99792548 X X 108 м/с

Са - емкость активной линии связи [Ф] Cin ~ входная емкость интегральной схемы [Ф] Cf, - нагрузочная емкость [Ф] Сп - взаимная емкость двух проводников [Ф Cout - выходная емкость интегральной схемы Ф] Ср - параллельная паразитная емкость [Ф] Cjf - емкость пассивной линии связи [Ф]

- погонная емкость линии связи [Ф/м]1

- внешний диаметр проводника или трубки [м]

- частота [Гц]

- частота Перехода от низкочастотных эффектов к высокочастотным [Гц]

- собственная резонансная частота RLC-koH тура [Гц]

- предельная частота коэффициента передачи в схеме с общим эмиттером (частота единичного усиления) [Гц]

GMD-среднее геометрическое расстояние между пу* тями прохождения тока [м]

- высота [м]

- коэффициент передачи транзистора в схеме с общим эмиттером

- ток [А]

- ток в активной линии связи [Aj

Список в6оэнвч«ниЯ Л5

/яге - минимальный ток «искрения» контактов [А] Il - базовый ток транзистора (AJ /с - коллекторный ток транзистора (AJ in - ток стока полевого транзистора [AJ 1 - ток короткого замыкания на выходе интегральной схемы [А] К\ -эффективность экранирования электромагнитного излучения отверстиями в экране [дБ] /(2 -эффективность экранирования электромагнитного излучения стенками экрана [дБ]

/(3 - корректирующий фактор, учитывающий расположение отверстий в экране [дБ]

L - индуктивность [Гн], / -длина [м]

La - индуктивность активной линии связи [Гн] 1с - критическая длина линии связи, 0,5tr/tu [м] Lj - нагрузочная индуктивность [Гн] Lm - взаимная индуктивность двух проводников [Гн]

Lg - индуктивность пассивной линии связи [Гн] L, - паразитная последовательная индуктивность [Гн]

1„ - погонная индуктивность линии связи [Гн/mJ п - число изгибов скрученной пары проводов, приходящееся на 1 м ПУв - помехоустойчивость на верхнем уровне [В] ПУд - помехоустойчивость на нижнем уровне [В] Q - добротность конденсатора или катушки индуктивности

R - сопротивление [Ом]; коэффициент отражения [дБ]

г г- расстояние до источника [м]

/?в - эквивалентное параллельное сопротивление активной цепи [Ом], коэффициент отражения электромагнитного излучения от отверстия [дБ]

Rbe - сопротивление база - эмиттер пары Дарлинг тона [Ом]

~ критическое сопротивление /LC-контура [Ом] Roa -сопротивление исток -сток полевого транзистора в открытом состоянии [Ом1

% conpOTifBACHwysajiero конца линии связи [Ом]

-г-еходное сопротивление [Ом]

- нагрузочное сопрйГйвленНе [Ом]

пе сопротивление у- ближнего конца линии связи [Ом]

RwAH- выходное сопротивление на верхнем логнче* ском уровне [Ом]

RputL - выходное сопротивление на нижнем логическом уровне [Ом]

/?р - паразитное параллельное сопротивление [Ом]

Rq - эквивалентное параллельное сопротивление пассивной цепи [Ом]

Rs - выходное сопротивление источника питания [Ом]

Rs - паразитное последовательное сопротивление [Ом]

Rt - сопротивление оконечной нагрузки [Ом] S - зазор [м]

Э - эффективность экранирования [дБ] sf - коэффициент формы линии связи SRF - собственная резонансная частота компонента [Гц] Т - толщина [м]

/ -время; продолжительность импульса [с]

ta - постоянная времени активной цепи [с]

tf - время спада фронта импульса [с]

HL - время задержки сигнала при переходе от

верхнего уровня к нижнему [с] LH - время задержки сигнала при переходе от

нижнего уровня к верхнему [с] * tp - время задержки сигнала [с] tq - постоянная времени пассивной цепи [с - время нарастания фронта импульса [с

- погонная задержка распространения в линии связи [с/м]

V - напряжение [В]

Va - напряжение активной линии связи [В]

* В положительной логике верхнему уровню соответствует-«I», а нижнему уровню чО»,-Прим. ред.