Главная страница  Электронные системыпри проектирования 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [ 10 ] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

ДИОДЫ с малым временем восстановления. {Замечание. Диоды Шотки на горячих носителях в отличие от обычных диодов не накапливают заряд, однако их

Ряс 3.1. Влияние накопленных зарядов на характеристики диода в открытом и закрытом состояниях.

высокая паразитная емкость создает аналогичные эффекты.)

Паразитная емкость стабилитронов обычно составляет 10-7000 пФ, что предохраняет от очень коротких выбросов. Вблизи излома вольт-амперной характеристики в области пробоя у большинства стабилитронов наблюдается участок отрицательного сопротивления, в котором может генерироваться белый шум с амплитудой 1-1000 мкВ. Такой тип помех-особенно заметен в сплавных стабилитронах. Для их уменьшения вместо сплавных стабилитронов можно применять диффузионные; ослабить влияние помех можно также, выбирая режим работы вдали от излома в области пробоя характеристики или шунтируя стабилитрон небольшим керамическим конденсатором.

Тиристоры могут генерировать сильные выбросы напряжения в цепи дхеременного тока, поскольку они быстро срабатывают и обычно Переключают большие токи. Подобный выброс потенциала на аноде, часть которого через внутреннюю паразитную емкость подается нз управляющий электрод, может привести к несанкционированному включению («защелкиванию») тиристоров (так называемый эффект dV/dt), Умень-



ШИТЬ вероятность такого ложного срабатывания могут специальные схемы, запускающие тиристоры при минимальном токе нагрузки, и сглаживающие RC-iie-почки, способствующие более плавному нарастанию тока на аноде.

Все проблемы, характерные для полупроводниковых диодов, присущи и переходу база - эмиттер биполярных транзисторов. Вдобавок паразитные емкости между базой, эмиттером и коллектором могут вызвать паразитную генерацию высокочастотных транзисторов {ft 100 МГц) на частоте 0,2ft. В общем случае при создании схем рекомендуется применять транзисторы с минимально возможным быстродействием. Наконец, переходы база - эмиттер и ба}а - коллектор могут выпрямлять высокочастотные помехи, изменяя смещение рабочей точки транзистора. Последний факт может снизить коэффициент усиления транзистора или, напротив, открыть транзистор, который считается закрытым!

Паразитная емкость может явиться причиной паразитной связи между истоком, затвором и стоком полевых транзисторов, причем в схемах с высоким импедансом эти проникающие помехи могут превышать рабочие сигналы. Паразитная емкость может также привести к паразитным колебаниям в полевом тран5Исторе. Предотвратить такие колебания может небо.1ьшой (100 Ом - 2 кОм) резистор в цепи затвора или ферритовое кольцо на его выводе.

Многочисленные факторы способствуют возникновению помех и в электровакуумных приборах. Они могут генерировать паразитные колебания, воспринимать рассеянные электромагнитные поля и фон от нагревателей, работающих на переменном токе, в них возможно возникновение микрофонных эффектов в результате ударов или вибраций и токов утечки между катодом, сеткой, анодом и другими элементами.

Паразитная емкость снижает быстродействие ОУ и ограничивает максимальную скорость нарастания выходного напряжения, а также может привести к паразитной генерации или насыщению. Большинство ОУ генерируют колебания на частотах 0,5-4 МГц, если на выходе включена реактивная нагрузка.



Цифровые ИС формируют трапецеидальные импульсы с очень резко нарастающим и спадающим фронтом (рис. 3.2). Спектральная плотность этих импульсов имеет вид

V{f)2Vst[sinnft/{nft)]X

X sin [2nft,tf/(tr hMftMr + )]

Положения максимумов, отвечающих этому уравнению, сильно зависят от точных значений t, tr и tf. Для

Вр&пя

•lev


Рис. 3.2. Частотный спектр трапецеидального импульса.

надежности следует воспользоваться верхними предельными значениями, вытекающими из этого уравнения, т. е.

V{fX2Vj при /<А=1/(яО [Гц], Vif)<2VJ{nf) при /1</<2 = ( + 0)/(2я/,) [Гц]. V{f) = VAtr-hff)/{nnf) при />/2[Гц].

Создаваемые помехи пропорциональны произведению амплитуды сигнала и частоты (см. приложение 3), поэтому /а является приближенным верхним частот-




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [ 10 ] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] [68] [69] [70] [71] [72] [73] [74] [75] [76]

0.0176