транзисторов происходит при напряжениях коллектор - эмиттер, мало отличающихся от напряжения насыщения. Однако из-за сложности установки граничного режима работы с помощью многоотводного дросселя указанные преимущества на высоких частотах преобразования достигаются за счет высокой трудоемкости изготовления. Кроме того, в схеме на рис. 1.26 стабильность частоты существенно зависит от стабильности входного напряжения и магнитных параметров сердечника дросселя.

В работе [27] предлагается регулировку частоты подобного преобразователя осуществлять путем подачи смещающего тока на одну из взаимно-ортогональных обмоток управляемого дросселя (рис. 1.28). Конструктивно такой дроссель представляет собой

Ш 2?

Рис. 1.2S. Схема самовозбуждающегося преобразователя со взаимно-ортогоиальными обмотками дросселя.

броневой магнитопровод, на котором размещаются две взаимно перпендикулярные обмотки: управления Wy и переключения Wk Катушка управления помещается внутри магнитопровода, затем чашки склеиваются клеем с наполнителем из того же материала, что и сердечник. На внешнюю поверхность магнитопровода через отверстие в керне наматывается переключающая обмотка Wk, которая перпендикулярна обмотке управления. Частота переключе НИИ для рассматриваемой схемы определяется по (формуле

f (ос + БЭ-д)--10-

где А - коэффициент аппроксимации кривой намагничивания; Як - напряженность магнитного поля в обмотке W, By - индукция поля обмотки управления.

Регулирование тока в обмотке Wy осуществляется транзистором VT2 по сигналу ошибки с выхода интегрирующего усилителя Di. Среднее значение пилообразного напряжения, снимаемого с конденсатора Ci, сравнивается с опорным Еоп- При /к?С<1 зависимость ,/к = /(.Еоп) носит динейный характер. Двухкаскадный параметрический стабилизатор используется для снижения паразитной частотной модуляции на входе усилителя.

Введение обмотки управления, осуществляющей регулирование частоты с помощью усилителя обратной связи, позволяет получить нестабильность частоты порядка 0,5% при изменении влияющих величин в широких пределах.

Существенным недостатком рассмотренных схем является наличие дополнительного моточного изделия (коммутирующего трансформатора или дросселя), что существенно затрудняет микроминиатюризацию узлов управления и увеличивает затраты на их изготовление.

Использование нелинейных iC-цепей позволяет существенно упростить самовозбуждающиеся преобразователи с ненасыщаю-щимся выходным трансформатором.

На рис. 1.29 показана схема полумостового самовозбуждающегося преобразователя [28]. При включении входного напряжения Ubx открывается один из транзисторов (например, VTi) Напряжение Lbx/2 с конденсатора d прикладывается к перичной обмотке трансформатора TVi, наводя на всех обмотках

VTz n

и/„,

Рис. 1.29. Схема самовозбуждающегося преобразователя с iC-цепями

Рис. 1.30 Схема самовозбуждающегося преобразователя с аналогами однопереходного транзистора

напряжение, поддерживающее транзистор VT в открытом состоянии, а VT2 - в закрытом

Конденсатор Сз заряжается по экспоненциальному закону

C=(Ko.e+W„)(l-e"). (1-4)

где Uc - напряжение на конденсаторе; -напряжение на обмотке положительной обратной связи; - напряжение на коммутирующей обмотке; т - постоянная времени ?С-цепи.

Когда напряжение иа конденсаторе Сз достигает порога срабатывания транзистора VTsiU) последний открывается, подключая обмотку Wk непосредственно к переходу база--эмиттер силового транзистора VTu Полярность напряжения на W такова, что транзистор VTi закрывается Рост магнитного потока в трансформаторе прекращается, а полярность напряжений на обмотках трансформатора ГУ, за счет накопленной энергии изменяется на обратную Это приводит к запиранию транзистора VTt напряжением обмотки Wo о и открытию транзистора напряжением обмотки Wo с Следующее переключение транзисторов произойдет после заряда конденсатора Сг

Подставляя в уравнение (1 4) вместо Uc значение порогового напряжения срабатывания транзистора, получаем уравнение, из которого можно определить время полупериода коммутации Г/2-

Отсюда

-- = т1п------ = т1п----------, (Id)

где kT = UwjUw„ с - коэффициент трансформации обмоток Wk и Woe, равный отношению чисел витков этих обмоток.

Самовозбуждающийся преобразователь [29] (рис. 1.30) отличается тем, что в качестве коммутирующих элементов используются транзисторные аналоги однопереходного транзистора (УГз, V/s и УГ4, VTe). Если при открытом силовом транзисторе (например, VTi) напряжение на емиттере транзистора VT5 меньше напряжения на его базе, а последнее определяется делителем напряжения ii?2, 3, то транзисторы VT и VTc, закрыты. Как только напряжение на конденсаторе Сз превысит напряжение на базе транзистора УГз на .значение, достаточное для открытия транзистора VT5, последний открывается.

Базовый ток, появившийся в транзисторе УГз, открывает его Потенциал на базе VTs уменьшается, что еще больше открывает транзисторы VTs и УГз Процесс их открывания происходит лавинообразно, в результате чего они переходят в режим насыщения База силового транзистора VTi через резистор R2, диод VD3 и открытый транзистор УГз оказывается под потенциалом обмотки Wk, что приведет к закрытию силового транзистора

В остальном наблюдается аналогия с процессами в схеме на рис I 29

При i?2<i/3 н RsRa порог срабатывания для схемы на рис 1 30 равен