Главная страница  Классификация стабилизирующих источников 

[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [ 61 ] [62] [63] [64] [65]

рованием последовательно включенных диодов конденсаторами для выравнивания распределения питающего напряжения.

Выпрямительные столбы. В табл. 3.15 приведены основные параметры выпрямительных столбов с обратным напряжением не менее 2000 В. Столбы серии 2Ц106 являются кремниевыми диффузионными приборами в пластмассовом корпусе. Предназначены.

Таблица 3.15

Тип выпрямительного столба

/др, мА

«вое ЧКС

Наибольшая рабочая частота, кГц

2Ц103А

2000

2Ц106А

4000

2Ц106Б

6000

2Ц106В

8000

2Ц106Г

10000

2Ц108А

2000

2Ц108Б

4000

2Ц108В

6000

2Ц202А

2000

2Ц202Б

4000

2Ц202В

6000

2Ц202Г

8000

2Ц202Д

10000

2Ц202Е

15000

2Ц203А

6000

1000

2Ц203Б

8000

1000

2Ц203В

10000

1000

они для работы в составе высоковольтных выпрямителей источников электропитания и импульсных устройств в диапазоне частот переменного тока от О до 20 кГц. При увеличении частот свыше 20 кГц значение тока /„р должно быть снижено в соответствии с рис. 3.50. Столбы допускают заливку диэлектрическими компаундами при температуре не выше 125° С. Для повышения устойчивости к воздействию климатических влияющих величин рекомендуется покрытие лаками типов УР-231 и ЭП-730. Допустимый прямой ток в зависимости от температуры окружающей среды выбирается по рис. 3.51.

Для столбов серии 2Ц108 приведена предельная частота работы без снижения режимов. При последовательном соединении двух столбов типа 2Ц108Б допустимо напряжение 5600 В, для столбов 2Ц108В - напряжение до 8000 В. Конструктивно столбы серии 2Ц108 выполнены в корпусе из эпоксидного компаунда.

Выпрямительные столбы серии 2Ц202 выполнены в корпусе из полимеризованной смолы. Они допускают параллельное соединение одного и того же типа приборов при отсутствии перегрузки любого из них. Последовательное соединение столбов серии 2Ц202 допускается до напряжения 30 кВ без применения шунтирующих



элементов и до 60 кВ с применением шунтирующих конденсато* ров. Емкость их рассчитывается по формуле.

С = 2,8 пСе,,

где п - число последовательно соединенных столбов; Сет - емкость столба.

10 10 ЪО Г,нГц

-- и

-60 -10 о 10

100 т,°с

Рис. 3.50. Расчетная зависимость среднего выпрямленного тока от частоты в диапазоне температур от -60 до -f80°C при работе на активную нагрузку

Рис. 3.51. Зависимость наибольшего прямого тока от температуры окружающей среды

При использовании столбов в условиях механических ускорений необходимо обеспечить их жесткое крепление за корпус. Паразитная емкость столба серии 2Ц202 относительно элементов схемы, окружающих столб и имеющих по сравнению с ним более низкий потенциал, определяется зависимостью.

где 80 = 8,85-10~; Si -площадь i-ro слоя диэлектрика от соответствующей плоскости столба до ближайшего элемента схемы; ен - относительная диэлектрическая проницаемость i-ro слоя диэлектрика, прилегающего к соответствующей плоскости столба.

Столбы серии 2Ц203 выполнены в пластмассовом корпусе. В табл. 3.15 приведены значения тока /пр, протекающего в течение времени не более 2 ч при 100° С. Если температура будет повышена до 130° С, то ток должен быть ограничен значением 100 мА. Для обеспечения допустимой температуры корпуса рекомендуется применять охлаждение при помощи теплоотвода, принудительного обдува воздухом, жидкости и другими способами, обеспечивающими сохранность конструкции столбов. При наличии механических воздействий необходимо обеспечить жесткое крепление стол-•бов за корпус. Допускается параллельное соединение столбов одного и того же типа при отсутствии перегрузки по току любого параллельного подключенного столба.



Тиристоры, в составе высоковольтных ИЭП тиристоры находят применение, в основном, в качестве коммутирующих элементов на стороне высокого напряжения. Характеристики некоторых типов отечественных тиристоров приведены в табл. 3 16. При выборе коммутирующих элементов для инверторов и стабилизаторов импульсного действия и при сравнении транзисторов с тиристорами к недостаткам последних относят их сравнительно низкие частотные свойства и сложность схем выключения. Указанные недостатки могут быть устранены. Так, запираемые по управляющему электроду тиристоры имеют малые времена включения и выключения. При высоком обратном напряжении (до 1500 В) их скорость переключения сравнима со скоростью переключения соответствующих биполярных транзисторов: при анодном токе 5 А запирание гл ристора BTW58 происходит за время не более 1 мкс при токе управляющего электрода 1 А. Применение таких тиристоров позволяет осуществлять коммутацию цепи с частотой порядка 100 кГц.

Таблица 3.16

<

<

Диапазон рабочих

- ,В/мк(

тиристора

температур, °С

КУ216В

От -45 до +70

ТИЧ250

От -60 до +80

КУ216А

3000

От -45 до +70

КУ216Б

1000

От -45 до +70

КУ108В

1000

От -40 до +80

Рассмотрим оЬобеииости работы тиристоров в режиме с малым временем включения (0,1 мкс). В переходном режиме при включении тиристора по управляющему электроду ток протекает через ограниченную область, которая примыкает к электроду управления и называется областью первоначального включения (ОПВ) [98]. Размеры этой области в модуляторных тиристорах при длительности импульса менее 1 мкс примерно на порядок меньше площади эмиттера. Так, для модуляторного тиристора типа КУ108 при площади эмиттера 0,4 см площадь ОПВ составляет ориентировочно 5-10~ см

Скорость протекания переходного процесса dildt при включении тиристора зависит как от максимального значения коммутируемого тока, так и от блокируемого напряжения. С повышением последнего скорость переходного процесса повышается При неизменном напряжении и увеличении тока до определенного предела скорость переходного процесса также возрастает. Объясняется это неравномерным распределением плотности тока по ОПВ и быстрым нарастанием плотности тока в отдельных площадках ОПВ и увеличением их количества, причем количество таких площадок с высокой плотностью тока увеличивается также с возрастанием тока управления /у тиристором. При малых значениях тока управления быстрое нарастание тока в ОПВ может происходить лишь в одной площадке малого сечения, что вызывает локальное выделение теплоты. Прохождение тока через одну площадку малого сечения, нагретой до высокой температуры, приводит к ограничению значения и частоты коммутируемого tokvI.




[0] [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] [47] [48] [49] [50] [51] [52] [53] [54] [55] [56] [57] [58] [59] [60] [ 61 ] [62] [63] [64] [65]

0.0179