3) с переключением уровней по цепям низкого напряжения и формированием уровней по цепям высокого напряжения.

Как правило, переключаемый ВИЭП первой группы содержит один стабилизирующий управляемый ИВН, построенный Тао одной из схем ВИЭП с ППЧ, рассмотренных в § 1.5.

Переключение уровней высокого напряжения со стороны низкого напряжения в схемах ВИЭП с ППЧ может быть осуществлено:

принудительным переключением уровней выходного напряжения стабилизатора низкого напряжения, установленного на входе инвертора в ВИЭП с ППЧ с амплитудным регулированием, при помощи ключевых элементов путем изменения коэффициента деления делителя напряжения обратной связи на входе стабилизатора низкого напряжения [60] или путем изменения напряжения опорного источника усилителя постоянного тока;

принудительным изменением при помощи ключевых элементов длительности импульсов управления инвертора со стороны щирот-но-импульсного модулятора в ВИЭП с ППЧ с ШИМ-регулиро-ванием [61];

принудительным изменением тока базы силовых транзисторов в ВИЭП с ППЧ и источником постоянного тока на входе с внутренним широтно-импульсным регулированием мощности путем подачи внешнего смещения во входную цепь силовых транзисторов инвертора или изменением напряжения электропитания предварительного усилителя шунтированием его делителя напряжения обратной связи ключевыми элементами.

На рис. 2.5 [62] показан вариант упрощенной структуры схемы переключаемого ВИЭП рассматриваемой группы. Переключа-

Рис. 2 5. Функциональная схема источника электропитания с переключением уровней со стороны низкого напряжения

«Мый ВИЭП содержит задающий генератор, подключенный к двухтактному инвертору с общим базовым резистором и с выходным Высоковольтным выпрямителем ВВ, и узел управления УУ, обеспечивающий необходимую временную последовательность подачи Внешнего смещения во входную цепь инвертора и включения РКЭ.

при подаче смещения инвертор закрывается и на выходе форм! руется нулевой уровень выходного напряжения.

Заряд емкости нагрузки в схемах первой группы ВИЭП прс исходит через внутреннее сопротивление ИВН до уровня напр? жения, установленного на его выходе, а разряд - через сопротин ление нагрузки, которое в момент перехода на более низкий урс вень принудительно уменьшается по цепи ЭЛТ [63] или чере РКЭ, выполненный на электронной лампе [60] или на дополнр тельном преобразователе со стабилитронами [61].

Высоковольтные ИЭП первой группы просты по построеник имеют хорошие массогабаритные характеристики, соизмеримые ВИЭП с постоянным выходным напряжением. Однако они не пс зволяют получить время переключения с одного уровня на дру гой менее 500 мкс из-за сравнительно большого внутреннего со противления ВИЭП.

Переключаемые ВИЭП второй группы содержат п стабилизк рующих источников ИВН, п-1 зарядных ЗКЭ и п-1 разрядны) РКЭ элементов, где п - число ступеней выходного напряжения Один из ИВН выполняется на выходное напряжение нижнегс уровня, а другие - на выходное напряжение Ub.c-н.с, где Ub.c - выходное напряжение следующей верхней ступени, а Uh.c - выход ное напряжение предыдущей нижней ступени. При заряде источ НИКИ ИВН включаются последовательно и через элементы ЗКс подключаются к нагрузке ступенями по заданной программе. Прр разряде нагрузка через элементы РКЭ подключается к соответ ствующим выводам нижних ступеней.

На рис. 2.6. и 2.7 показаны упрощенные структурные схемы та-КН.Х источников на две ступени выходного напряжения. Переключа-

йен.

ИВН,

ИВН,

Рис. 2.6. Структурная схема источника с ключевыми элементами, находящимися под выходным потенциалом

Рис. 2.7. Структурная схема источника с ключевыми элементами, находящимися под промежуточным потенциалом

емый ВИЭП содержит два канала стабилизирующих источников высокого напряжения HBHi и ЯБЯг. Источник ЯБЯг выполняется на напряжение нижнего уровня выходного напряжения, а сумма напряжений обоих каналов соответствует выходному напряжению верхнего уровня. 106

в схеме на рис. 2.6 источники HBHi и ИВНг соединены между собой последовательно и высокопотенциальный вывод этой цепочки через элемент ЗКЭ подключен к нагрузке, которая через элемент РКЭ подключена к потенциальному выводу ЯБЯг.

В схеме на рис. 2.7 источники ИВНх и ЯБЯа соединены последовательно через элемент ЗКЭ, причем высокопотенциальный вывод источника ЯБЯг соединен с нагрузкой, а вывод низкого потенциала источника ЯБЯг соединен с таким же выводом источника HBHi через элемент РКЭ.

При замкнутом элементе ЗКЭ и разомкнутом РКЭ формируется высокий уровень, а при разомкнутом элементе ЗКЭ и замкнутом РКЭ - низкий уровень выходного напряжения. Переключение элементов ЗКЭ и РКЭ осуществляется узлом управления УУ по заданной программе.

В этих схемах ключевые элементы выполняются на одинаковое рабочее напряжение, однако в схеме на рис. 2.7 потенциал выходных выводов ключевых элементов относительно общего вывода ВИЭП ниже, чем в схеме на рис. 2.6 на значение напряжения нижнего уровня. Стабилизирующие ИВН строятся по известным схемам ВИЭП с постоянным выходным напряжением, рассмотренным в гл. 1. Ключевые элементы на высокие напряжения могут быть выполнены по различным схемам и на различных элементах (гер-конах, электронных лампах, транзисторах, динисторах).

С появлением высоковольтных транзисторов наибольшее распространение получили транзисторные схемы высоковольтных ключевых элементов. На рис. 2.8 [64] и рис. 2.9 [65] показаны варианты таких схем. Транзисторы в составе элементов в ЗКЭ и РКЭ выбираются с учетом максимального выходного напряжения и включаются последовательно в необходимом количестве. Управляющие входы транзисторов элементов ЗКЭ и РКЭ находятся под высоким потенциалом относительно общего вывода, поэтому выходные цепи узла управления должны иметь высоковольтную развязку от низкопотенциальных цепей узла управления УУ. Обычно эта развязка осуществляется потенциальными импульсными трансформаторами.

Элементы ЗКЭ и РКЭ в таких переключаемых ВИЭП работают в активном режиме, т. е. они включаются на все время действия

Рис. 2.8 Транзисторные ключевые Элементы с управлением от транзисторов

Рис. 2 9. Транзисторные ключевые элементы с управлением от трансформаторов